MOSFET N STMicroelectronics 92 A Enrichissement, 3 broches, TO-247 STW
- Code commande RS:
- 275-1386
- Référence fabricant:
- STWA65N023M9
- Marque:
- STMicroelectronics
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|---|---|
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*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 275-1386
- Référence fabricant:
- STWA65N023M9
- Marque:
- STMicroelectronics
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Type de canal | Type N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 92A | |
| Série | STW | |
| Type de Boitier | TO-247 | |
| Type de montage | Traversant | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 23mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Tension directe Vf | 1.6V | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 230nC | |
| Température minimum de fonctionnement | -55°C | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 463W | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Type de canal Type N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 92A | ||
Série STW | ||
Type de Boitier TO-247 | ||
Type de montage Traversant | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 23mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Tension directe Vf 1.6V | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 230nC | ||
Température minimum de fonctionnement -55°C | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 463W | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- CN
Le transistor MOSFET de puissance à canal N de STMicroelectronics est basé sur la technologie MDmesh M9 à superjonction la plus innovante, adaptée aux transistor MOSFET à moyenne ou haute tension avec un RDS(on) très faible par zone. La technologie M9 à base de silicium bénéficie d'un processus de fabrication multi-drain qui permet une structure de dispositif améliorée. Le produit obtenu est doté de l'une des valeurs de résistance d'utilisation plus faibles et de charge de grille réduite, parmi tous les transistors MOSFET de puissance à super jonction à commutation rapide à base de silicium, ce qui le rend particulièrement adapté aux applications qui exigent une densité de puissance supérieure et un rendement exceptionnel.
Excellentes performances de commutation
Facile à piloter
Testé à 100 % contre les avalanches
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