MOSFET STMicroelectronics canal N, TO-247 92 A 92 A, 3 broches

Le transistor MOSFET de puissance à canal N de STMicroelectronics est basé sur la technologie MDmesh M9 à superjonction la plus innovante, adaptée aux transistor MOSFET à moyenne ou haute tension avec un RDS(on) très faible par zone. La technologie M9 à base de silicium bénéficie d'un processus de fabrication multi-drain qui permet une structure de dispositif améliorée. Le produit obtenu est doté de l'une des valeurs de résistance d'utilisation plus faibles et de charge de grille réduite, parmi tous les transistors MOSFET de puissance à super jonction à commutation rapide à base de silicium, ce qui le rend particulièrement adapté aux applications qui exigent une densité de puissance supérieure et un rendement exceptionnel.

Excellentes performances de commutation
Facile à piloter
Testé à 100 % contre les avalanches