MOSFET canal N Vishay 478 A 30 V Enrichissement, 8 broches, SO-8 SIRS
- Code commande RS:
- 279-9962
- Référence fabricant:
- SIRS4302DP-T1-GE3
- Marque:
- Vishay
Sous-total (1 bobine de 3000 unités)*
4 356,00 €
HT
5 226,00 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
- 3 000 dernière(s) unité(s), prête(s) à l'envoi d'un autre centre de distribution
Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 3000 + | 1,452 € | 4 356,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 279-9962
- Référence fabricant:
- SIRS4302DP-T1-GE3
- Marque:
- Vishay
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 478A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 30V | |
| Type de Boitier | SO-8 | |
| Série | SIRS | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 0.00057Ω | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 230nC | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 208W | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Longueur | 5mm | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 478A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 30V | ||
Type de Boitier SO-8 | ||
Série SIRS | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 8 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 0.00057Ω | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 230nC | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 208W | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Longueur 5mm | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Standard automobile Non | ||
Transistor MOSFET série SIRS de Vishay, dissipation de puissance maximale de 208 W, tension de source de drain maximale de 30 V - SIRS4302DP-T1-GE3
Caractéristiques et avantages :
• Courant de drain continu élevé de 478 A permettant la commutation à charge lourde
• Tension nominale drain-source de 30 V pour les niveaux de puissance basse tension
• Capacité de dissipation de puissance de 208 W pour un fonctionnement haute puissance
• Charge de grille de 230 nC pour un comportement de commutation prévisible
• Tolérance de source-gate de 20 V pour s'adapter à des tensions d'entraînement robustes
Applications
• Idéal pour les dispositions MOSFET parallèles dans les modules de puissance
• Utilisé avec le redressement synchrone dans les alimentations
• Peut être utilisé pour les étapes d'entraînement de moteur nécessitant un courant de crête élevé
• Adapté aux régulateurs de commutation industriels fonctionnant sur une large plage de températures
Comment fonctionne-t-il à des températures ambiantes extrêmes?
Quelle est la méthode de montage recommandée pour la gestion thermique?
Quelles sont les considérations à prendre en compte pour l'entraînement de grille pour une commutation rapide?
L'appareil est-il adapté aux programmes de qualification automobile?
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