MOSFET P Vishay 59.2 A 40 V Enrichissement, 8 broches, 1212-8S SISS

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Code commande RS:
279-9987
Référence fabricant:
SISS4409DN-T1-GE3
Marque:
Vishay
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Marque

Vishay

Type de canal

Type P

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

59.2A

Tension Drain Source maximum Vds

40V

Série

SISS

Type de Boitier

1212-8S

Type de montage

En surface

Nombre de broches

8

Résistance Drain Source maximum Rds

0.009Ω

Mode de canal

Enrichissement

Charge de porte typique Qg @ Vgs

126nC

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Tension maximale de source de la grille Vgs

20V

Dissipation de puissance maximum Pd

56.8W

Température d'utilisation maximum

150°C

Longueur

3.3mm

Normes/homologations

RoHS

Standard automobile

Non

Le MOSFET de Vishay est un MOSFET à canal P et le transistor qu'il contient est constitué d'un matériau connu sous le nom de silicium.

MOSFET de puissance de nouvelle génération

100 % testé Rg et UIS

Produit FOM à très faible RDS x Qg

Dispositif entièrement exempt de plomb (Pb)

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