MOSFET Infineon canal N, SOT-223 120 mA 600 V, 3 broches

Code commande RS:: 354-5708P
Référence fabricant:: BSP135H6327XTSA1
Marque:: Infineon

MOSFET Infineon canal N, SOT-223 120 mA 600 V, 3 broches

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Code commande RS:: 354-5708P
Référence fabricant:: BSP135H6327XTSA1
Marque:: Infineon

Datasheet

Attribut	Valeur
Type de canal	N
Courant continu de Drain maximum	120 mA
Tension Drain Source maximum	600 V
Type de boîtier	SOT-223
Série	SIPMOS®
Type de montage	CMS
Nombre de broches	3
Résistance Drain Source maximum	60 Ω
Mode de canal	Depletion
Tension de seuil maximale de la grille	1V
Tension de seuil minimale de la grille	2.1V
Dissipation de puissance maximum	1,8 W
Configuration du transistor	Simple
Tension Grille Source maximum	-20 V, +20 V
Température d'utilisation maximum	+150 °C
Longueur	6.5mm
Matériau du transistor	Si
Charge de Grille type @ Vgs	3,7 nC @ 5 V
Largeur	3.5mm
Nombre d'éléments par circuit	1
Température de fonctionnement minimum	-55 °C
Hauteur	1.6mm

MOSFET Infineon canal N, SOT-223 120 mA 600 V, 3 broches

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Transistor MOSFET à canal N Infineon SIPMOS®