MOSFET N STMicroelectronics 4 A 600 V Enrichissement, 3 broches, TO-220 MDmesh, SuperMESH

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Code commande RS:
485-7686
Référence fabricant:
STP4NK60Z
Marque:
STMicroelectronics
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Marque

STMicroelectronics

Type de canal

Type N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

4A

Tension Drain Source maximum Vds

600V

Série

MDmesh, SuperMESH

Type de Boitier

TO-220

Type de montage

Traversant

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

2Ω

Mode de canal

Enrichissement

Charge de porte typique Qg @ Vgs

18.8nC

Dissipation de puissance maximum Pd

70W

Température minimum de fonctionnement

-55°C

Tension directe Vf

1.6V

Température d'utilisation maximum

150°C

Hauteur

9.15mm

Longueur

10.4mm

Normes/homologations

No

Standard automobile

Non

Canal N MDmesh™ SuperMESH™, 250 V à 650 V, STMicroelectronics


Transistors MOSFET, ROHM, STMicroelectronics


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