MOSFET canal N STMicroelectronics 13 A 600 V Enrichissement, 3 broches, TO-220 MDmesh, SuperMESH

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Code commande RS:
103-1079
Référence fabricant:
STP13NK60Z
Marque:
STMicroelectronics
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Marque

STMicroelectronics

Type de produit

MOSFET

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum Id

13A

Tension Drain Source maximum Vds

600V

Type de Boitier

TO-220

Série

MDmesh, SuperMESH

Type de montage

Traversant

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

550mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Charge de porte typique Qg @ Vgs

66nC

Tension directe Vf

1.5V

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Tension maximale de source de la grille Vgs

-30V, +30V

Dissipation de puissance maximum Pd

150W

Température d'utilisation maximum

150°C

Longueur

10.4mm

Largeur

4.6mm

Normes/homologations

No

Hauteur

9.15mm

Standard automobile

Non

Canal N MDmesh™ SuperMESH™, 250 V à 650 V, STMicroelectronics


Transistors MOSFET, ROHM, STMicroelectronics


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