MOSFET N STMicroelectronics 13 A 600 V Enrichissement, 3 broches, TO-220 MDmesh, SuperMESH
- Code commande RS:
- 485-7490
- Référence fabricant:
- STP13NK60Z
- Marque:
- STMicroelectronics
Prix dégressifs sur quantité
Sous-total (1 paquet de 5 unités)*
15,72 €
HT
18,865 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
Temporairement en rupture de stock
- 35 unité(s) expédiée(s) à partir du 11 mai 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 5 - 5 | 3,144 € | 15,72 € |
| 10 - 95 | 2,688 € | 13,44 € |
| 100 - 495 | 2,08 € | 10,40 € |
| 500 - 995 | 1,764 € | 8,82 € |
| 1000 + | 1,556 € | 7,78 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 485-7490
- Référence fabricant:
- STP13NK60Z
- Marque:
- STMicroelectronics
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Type de canal | Type N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 13A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 600V | |
| Série | MDmesh, SuperMESH | |
| Type de Boitier | TO-220 | |
| Type de montage | Traversant | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 550mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Tension directe Vf | 1.5V | |
| Température minimum de fonctionnement | -55°C | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 66nC | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 150W | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Normes/homologations | No | |
| Longueur | 10.4mm | |
| Hauteur | 9.15mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Type de canal Type N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 13A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 600V | ||
Série MDmesh, SuperMESH | ||
Type de Boitier TO-220 | ||
Type de montage Traversant | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 550mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Tension directe Vf 1.5V | ||
Température minimum de fonctionnement -55°C | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 66nC | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 150W | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Normes/homologations No | ||
Longueur 10.4mm | ||
Hauteur 9.15mm | ||
Standard automobile Non | ||
Canal N MDmesh™ SuperMESH™, 250 V à 650 V, STMicroelectronics
Transistors MOSFET, ROHM, STMicroelectronics
Nos clients ont également consulté
- MOSFET N STMicroelectronics 13 A 600 V Enrichissement TO-220 MDmesh, SuperMESH
- MOSFET N STMicroelectronics 7 A 600 V Enrichissement TO-220 MDmesh, SuperMESH
- MOSFET N STMicroelectronics 4 A 600 V Enrichissement TO-220 MDmesh, SuperMESH
- MOSFET N STMicroelectronics 10 A 600 V Enrichissement TO-220 MDmesh, SuperMESH
- MOSFET N STMicroelectronics 3.5 A 1 kV Enrichissement TO-220 MDmesh, SuperMESH
- MOSFET N STMicroelectronics 15 A 400 V Enrichissement TO-220 MDmesh, SuperMESH
- MOSFET N STMicroelectronics 2.5 A 800 V Enrichissement TO-220 MDmesh, SuperMESH
- MOSFET N STMicroelectronics 5.8 A 900 V Enrichissement TO-220 MDmesh, SuperMESH