MOSFET canal N STMicroelectronics 8 A 900 V Enrichissement, 3 broches, TO-247 MDmesh, SuperMESH
- Code commande RS:
- 485-8623
- Référence fabricant:
- STW9NK90Z
- Marque:
- STMicroelectronics
Prix dégressifs sur quantité
Consulter les options de prix de grosSous-total (1 unité)*
4,13 €
HT
4,96 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
En stock
- 48 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
- Plus 410 unité(s) expédiée(s) à partir du 16 novembre 2026
- Plus 200 unité(s) expédiée(s) à partir du 16 novembre 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité |
|---|---|
| 1 - 9 | 4,13 € |
| 10 - 99 | 2,47 € |
| 100 + | 2,09 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 485-8623
- Référence fabricant:
- STW9NK90Z
- Marque:
- STMicroelectronics
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 8A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 900V | |
| Type de Boitier | TO-247 | |
| Série | MDmesh, SuperMESH | |
| Type de montage | Traversant | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 1.3Ω | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 72nC | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 160W | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | -30V, +30V | |
| Tension directe Vf | 1.6V | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Longueur | 15.75mm | |
| Hauteur | 20.15mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Largeur | 5.15mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 8A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 900V | ||
Type de Boitier TO-247 | ||
Série MDmesh, SuperMESH | ||
Type de montage Traversant | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 1.3Ω | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 72nC | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 160W | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs -30V, +30V | ||
Tension directe Vf 1.6V | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Longueur 15.75mm | ||
Hauteur 20.15mm | ||
Normes/homologations No | ||
Largeur 5.15mm | ||
Standard automobile Non | ||
Canal N MDmesh™ SuperMESH™, 700 V à 1 200 V, STMicroelectronics
Transistors MOSFET, ROHM, STMicroelectronics
Nos clients ont également consulté
- MOSFET canal N STMicroelectronics 8 A 900 V Enrichissement TO-247 MDmesh, SuperMESH
- MOSFET canal N STMicroelectronics 15 A 900 V Enrichissement TO-247 MDmesh, SuperMESH
- MOSFET canal N STMicroelectronics 5.8 A 900 V Enrichissement TO-247 MDmesh, SuperMESH
- MOSFET canal N STMicroelectronics 11 A 900 V Enrichissement TO-247 MDmesh, SuperMESH
- MOSFET canal N STMicroelectronics 9.2 A 900 V Enrichissement TO-247 MDmesh, SuperMESH
- MOSFET canal N STMicroelectronics 3.5 A 1 kV Enrichissement TO-247 MDmesh, SuperMESH
- MOSFET canal N STMicroelectronics 10.5 A 800 V Enrichissement TO-247 MDmesh, SuperMESH
- MOSFET canal N STMicroelectronics 9 A 800 V Enrichissement TO-247 MDmesh, SuperMESH