MOSFET canal N STMicroelectronics 9 A 200 V Enrichissement, 3 broches, TO-220 STripFET

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Code commande RS:
486-0171
Référence fabricant:
IRF630
Marque:
STMicroelectronics
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Marque

STMicroelectronics

Type de produit

MOSFET

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum Id

9A

Tension Drain Source maximum Vds

200V

Série

STripFET

Type de Boitier

TO-220

Type de montage

Traversant

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

400mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension maximale de source de la grille Vgs

-20V, +20V

Tension directe Vf

1.5V

Charge de porte typique Qg @ Vgs

31nC

Température minimum de fonctionnemen

-65°C

Dissipation de puissance maximum Pd

75W

Température d'utilisation maximum

150°C

Hauteur

9.15mm

Longueur

10.4mm

Largeur

4.6mm

Normes/homologations

No

Standard automobile

Non

Canal N STripFET™, STMicroelectronics


Transistors MOSFET, ROHM, STMicroelectronics


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