MOSFET canal N STMicroelectronics 9 A 200 V Enrichissement, 3 broches, TO-220 STripFET

Voir la catégorie
Prix dégressifs sur quantité
Consulter les options de prix de gros

Sous-total (1 paquet de 5 unités)*

7,38 €

HT

8,855 €

TTC

Add to Basket
Sélectionner ou entrer la quantité
En stock
  • Plus 55 unité(s) expédiée(s) à partir du 14 septembre 2026
  • Plus 235 unité(s) expédiée(s) à partir du 14 septembre 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails

Unité
Prix par unité
le paquet*
5 - 451,476 €7,38 €
50 - 2451,202 €6,01 €
250 - 4950,916 €4,58 €
500 +0,812 €4,06 €

*Prix donné à titre indicatif

Code commande RS:
486-0171
Référence fabricant:
IRF630
Marque:
STMicroelectronics
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

STMicroelectronics

Type de canal

N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

9A

Tension Drain Source maximum Vds

200V

Série

STripFET

Type de Boitier

TO-220

Type de montage

Traversant

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

400mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Dissipation de puissance maximum Pd

75W

Température minimum de fonctionnemen

-65°C

Tension directe Vf

1.5V

Tension maximale de source de la grille Vgs

20V

Charge de porte typique Qg @ Vgs

31nC

Température d'utilisation maximum

150°C

Largeur

4.6mm

Normes/homologations

No

Longueur

10.4mm

Hauteur

9.15mm

Standard automobile

Non

Canal N STripFET™, STMicroelectronics


Transistors MOSFET, ROHM, STMicroelectronics


Nos clients ont également consulté

Soyez informé.e de nos dernières nouveautés et actualités

Votre adresse e-mail

En m'inscrivant à la newsletter, j'accepte la politique de protection des données de RS France. Je pourrai me désinscrire à tout moment.