MOSFET canal N STMicroelectronics 3 A 800 V Enrichissement, 3 broches, TO-220 MDmesh, SuperMESH

Prix dégressifs sur quantité
Consulter les options de prix de gros

Sous-total (1 paquet de 5 unités)*

13,68 €

HT

16,42 €

TTC

Add to Basket
Sélectionner ou entrer la quantité
Temporairement en rupture de stock
  • Expédition à partir du 11 mars 2027
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails

Unité
Prix par unité
le paquet*
5 - 452,736 €13,68 €
50 - 1202,358 €11,79 €
125 +1,85 €9,25 €

*Prix donné à titre indicatif

Options de conditionnement :
Code commande RS:
486-2329
Référence fabricant:
STP4NK80ZFP
Marque:
STMicroelectronics
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

STMicroelectronics

Type de canal

N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

3A

Tension Drain Source maximum Vds

800V

Type de Boitier

TO-220

Série

MDmesh, SuperMESH

Type de montage

Traversant

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

3.5Ω

Mode de canal

Enrichissement

Tension maximale de source de la grille Vgs

-30V, +30V

Charge de porte typique Qg @ Vgs

22.5nC

Tension directe Vf

1.6V

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Dissipation de puissance maximum Pd

25W

Température d'utilisation maximum

150°C

Longueur

10.4mm

Normes/homologations

No

Hauteur

9.3mm

Largeur

4.6mm

Standard automobile

Non

Canal N MDmesh™ SuperMESH™, 700 V à 1 200 V, STMicroelectronics


Transistors MOSFET, ROHM, STMicroelectronics


Nos clients ont également consulté

Soyez informé.e de nos dernières nouveautés et actualités

Votre adresse e-mail

En m'inscrivant à la newsletter, j'accepte la politique de protection des données de RS France. Je pourrai me désinscrire à tout moment.