MOSFET canal N Vishay 7.8 A 800 V Enrichissement, 3 broches, TO-247 IRFP

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Code commande RS:
541-1089
Référence fabricant:
IRFPE50PBF
Marque:
Vishay
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Marque

Vishay

Type de canal

N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

7.8A

Tension Drain Source maximum Vds

800V

Type de Boitier

TO-247

Série

IRFP

Type de montage

Traversant

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

1.2Ω

Mode de canal

Enrichissement

Charge de porte typique Qg @ Vgs

200nC

Tension maximale de source de la grille Vgs

-20V, +20V

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Dissipation de puissance maximum Pd

190W

Tension directe Vf

1.8V

Température d'utilisation maximum

150°C

Largeur

5.31mm

Normes/homologations

No

Longueur

15.87mm

Hauteur

20.7mm

Standard automobile

Non

Transistor MOSFET canal N, de 600 à 1 000 V, Vishay Semiconductor


Transistors MOSFET, Vishay Semiconductor


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