MOSFET Infineon canal N, IPAK (TO-251) 9,4 A 100 V, 3 broches

Code commande RS:: 541-1613
Numéro d'article Distrelec:: 303-41-373
Référence fabricant:: IRFU120NPBF
Marque:: Infineon

MOSFET Infineon canal N, IPAK (TO-251) 9,4 A 100 V, 3 broches

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Attribut	Valeur
Type de canal	N
Courant continu de Drain maximum	9,4 A
Tension Drain Source maximum	100 V
Type de boîtier	IPAK (TO-251)
Série	HEXFET
Type de montage	Traversant
Nombre de broches	3
Résistance Drain Source maximum	210 mΩ
Mode de canal	Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille	4V
Tension de seuil minimale de la grille	2V
Dissipation de puissance maximum	48 W
Configuration du transistor	Simple
Tension Grille Source maximum	-20 V, +20 V
Charge de Grille type @ Vgs	25 nC @ 10 V
Longueur	6.6mm
Matériau du transistor	Si
Nombre d'éléments par circuit	1
Température d'utilisation maximum	+175 °C
Largeur	2.3mm
Température de fonctionnement minimum	-55 °C
Hauteur	6.1mm

MOSFET Infineon canal N, IPAK (TO-251) 9,4 A 100 V, 3 broches

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Transistor MOSFET de puissance à canal N 100 V, Infineon

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