MOSFET Vishay canal N, TO-220AB 11 A 500 V, 3 broches
- Code commande RS:
- 541-1944
- Référence fabricant:
- IRFB11N50APBF
- Marque:
- Vishay
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Prix pour la pièce
1,83 €
HT
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TTC
| Unité | Prix par unité |
| 1 - 9 | 1,83 € |
| 10 - 49 | 1,77 € |
| 50 - 99 | 1,71 € |
| 100 - 249 | 1,62 € |
| 250 + | 1,52 € |
- Code commande RS:
- 541-1944
- Référence fabricant:
- IRFB11N50APBF
- Marque:
- Vishay
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Transistor MOSFET canal N, 500 V, Vishay Semiconductor
Le transistor MOSFET de puissance de Vishay est doté d'un Qg à faible charge de grille et offre un besoin de commande simple et une meilleure porte, une avalanche et une robustesse dV/dt dynamique.
Plage de températures de jonction et de stockage en fonctionnement : 55 à +150 °C.
Transistors MOSFET, Vishay Semiconductor
Caractéristiques techniques
Attribut | Valeur |
|---|---|
| Type de canal | N |
| Courant continu de Drain maximum | 11 A |
| Tension Drain Source maximum | 500 V |
| Type de boîtier | TO-220AB |
| Type de montage | Traversant |
| Nombre de broches | 3 |
| Résistance Drain Source maximum | 520 mΩ |
| Mode de canal | Enrichissement |
| Tension de seuil minimale de la grille | 2V |
| Dissipation de puissance maximum | 170 W |
| Configuration du transistor | Simple |
| Tension Grille Source maximum | -30 V, +30 V |
| Nombre d'éléments par circuit | 1 |
| Longueur | 10.41mm |
| Matériau du transistor | Si |
| Largeur | 4.7mm |
| Température d'utilisation maximum | +150 °C |
| Charge de Grille type @ Vgs | 52 nC @ 10 V |
| Hauteur | 9.01mm |
| Température de fonctionnement minimum | -55 °C |
- Code commande RS:
- 541-1944
- Référence fabricant:
- IRFB11N50APBF
- Marque:
- Vishay