MOSFET de puissance canal N Vishay 11 A 500 V Enrichissement, 3 broches, JEDEC TO-220AB IRFB11N50A
- Code commande RS:
- 541-1944
- Référence fabricant:
- IRFB11N50APBF
- Marque:
- Vishay
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- Code commande RS:
- 541-1944
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- Marque:
- Vishay
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET de puissance | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 11A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 500V | |
| Série | IRFB11N50A | |
| Type de Boitier | JEDEC TO-220AB | |
| Type de montage | Traversant | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 520mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Tension directe Vf | 1.5V | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | -30V, +30V | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 52nC | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 170W | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Longueur | 10.41mm | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Largeur | 4.7mm | |
| Hauteur | 9.01mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET de puissance | ||
Courant continu de Drain maximum Id 11A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 500V | ||
Série IRFB11N50A | ||
Type de Boitier JEDEC TO-220AB | ||
Type de montage Traversant | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 520mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Tension directe Vf 1.5V | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs -30V, +30V | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 52nC | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 170W | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Longueur 10.41mm | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Largeur 4.7mm | ||
Hauteur 9.01mm | ||
Standard automobile Non | ||
Transistor MOSFET de puissance série IRFB11N50A de Vishay, tension de source de drain de 500 V, courant de drain continu de 11 A - IRFB11N50APBF
Ce MOSFET de puissance est un dispositif de commutation à canal N haute tension conçu pour le montage sur carte à trou traversant dans les contextes industriels et d'électronique de puissance. Il fonctionne sur une large plage de températures, prend en charge des courants et des tensions de commutation substantiels, et est fourni dans un boîtier TO-220AB pour un dissipateur thermique et un montage sur châssis simples.
Caractéristiques et avantages :
• La valeur nominale de drain de 500 V permet des applications de commutation haute tension
• Le courant de drainage continu de 11 A permet de gérer les charges lourdes
• La dissipation maximale de 170 W permet une commutation de puissance significative
• Rds(on) de 520 mΩ pour des pertes de conduction prévisibles
• La charge de grille typique de 52 nC permet une conception de commande de grille contrôlée
• La limite de grille de 30 V protège contre les tensions d'entraînement excessives
• Le courant de drainage continu de 11 A permet de gérer les charges lourdes
• La dissipation maximale de 170 W permet une commutation de puissance significative
• Rds(on) de 520 mΩ pour des pertes de conduction prévisibles
• La charge de grille typique de 52 nC permet une conception de commande de grille contrôlée
• La limite de grille de 30 V protège contre les tensions d'entraînement excessives
Applications
• Adapté aux alimentations haute tension et aux convertisseurs
• Idéal pour les étapes de commutation d'entraînement de moteur industriel
• Utilisé avec les assemblages MOSFET discrets dans les onduleurs de puissance
• Peut être utilisé pour les régulateurs et les contrôleurs de puissance à découpage
• Adapté aux plates-formes de test d'alimentation de laboratoire et aux prototypes
• Idéal pour les étapes de commutation d'entraînement de moteur industriel
• Utilisé avec les assemblages MOSFET discrets dans les onduleurs de puissance
• Peut être utilisé pour les régulateurs et les contrôleurs de puissance à découpage
• Adapté aux plates-formes de test d'alimentation de laboratoire et aux prototypes
À quelle plage thermique puis-je m'attendre pour les conditions de terrain et de stockage?
Il fonctionne entre -55 °C et 150 °C, ce qui permet une utilisation dans des environnements difficiles.
Comment le dispositif est-il monté et refroidi dans un système?
Le format à trou traversant TO-220AB permet le boulonnage à un dissipateur thermique externe ou au châssis pour un transfert thermique amélioré.
Quelles sont les considérations relatives à l'entraînement de grille qui sont importantes pour éviter les dommages?
Gardez la tension de grille dans une limite de 30 V et concevez le driver pour charger environ 52 nC pour commuter de manière fiable.
Comment la tension directe affecte-t-elle la conduction dans les circuits?
La tension directe de 1,5 V influence les pertes totales du système pendant la conduction et doit être incluse dans les calculs thermiques et d'efficacité.
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