MOSFET N Vishay 5 A 500 V Enrichissement, 3 broches, TO-220 IRF830A
- Code commande RS:
- 542-9434
- Numéro d'article Distrelec:
- 171-16-197
- Référence fabricant:
- IRF830APBF
- Marque:
- Vishay
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Unité | Prix par unité |
|---|---|
| 1 - 9 | 2,06 € |
| 10 - 49 | 1,75 € |
| 50 - 99 | 1,67 € |
| 100 - 249 | 1,55 € |
| 250 + | 1,45 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 542-9434
- Numéro d'article Distrelec:
- 171-16-197
- Référence fabricant:
- IRF830APBF
- Marque:
- Vishay
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Type de canal | Type N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 5A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 500V | |
| Type de Boitier | TO-220 | |
| Série | IRF830A | |
| Type de montage | Traversant | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 1.4Ω | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 24nC | |
| Tension directe Vf | 1.5V | |
| Température minimum de fonctionnement | -55°C | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 74W | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Longueur | 10.41mm | |
| Hauteur | 9.01mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Type de canal Type N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 5A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 500V | ||
Type de Boitier TO-220 | ||
Série IRF830A | ||
Type de montage Traversant | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 1.4Ω | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 24nC | ||
Tension directe Vf 1.5V | ||
Température minimum de fonctionnement -55°C | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 74W | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Longueur 10.41mm | ||
Hauteur 9.01mm | ||
Normes/homologations No | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- CN
Le transistor MOSFET de puissance de Vishay est doté d'un Qg à faible charge de grille et offre un besoin de commande simple et une meilleure porte, une avalanche et une robustesse dV/dt dynamique.
Plage de températures de jonction et de stockage en fonctionnement : 55 à +150 °C.
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