MOSFET canal N onsemi 115 mA 60 V Enrichissement, 3 broches, SOT-23 2N7002L

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Code commande RS:
545-0012
Référence fabricant:
2N7002LT1G
Marque:
onsemi
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Marque

onsemi

Type de produit

MOSFET

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum Id

115mA

Tension Drain Source maximum Vds

60V

Type de Boitier

SOT-23

Série

2N7002L

Type de montage

En surface

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

7.5Ω

Mode de canal

Enrichissement

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Tension maximale de source de la grille Vgs

20V

Charge de porte typique Qg @ Vgs

160nC

Dissipation de puissance maximum Pd

300mW

Tension directe Vf

1.2V

Température d'utilisation maximum

150°C

Normes/homologations

No

Longueur

2.9mm

Hauteur

0.94mm

Largeur

1.3mm

Standard automobile

Non

Pays d'origine :
FR

Transistor MOSFET de puissance à canal N, 60 V, ON Semiconductor


Transistors MOSFET, ON Semiconductor


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