MOSFET canal N onsemi 115 mA 60 V Enrichissement, 3 broches, SOT-23 2N7002L

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Options de conditionnement :
Code commande RS:
545-0012
Référence fabricant:
2N7002LT1G
Marque:
onsemi
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Marque

onsemi

Type de canal

N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

115mA

Tension Drain Source maximum Vds

60V

Série

2N7002L

Type de Boitier

SOT-23

Type de montage

En surface

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

7.5Ω

Mode de canal

Enrichissement

Dissipation de puissance maximum Pd

300mW

Charge de porte typique Qg @ Vgs

160nC

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Tension directe Vf

1.2V

Tension maximale de source de la grille Vgs

-20V, +20V

Température d'utilisation maximum

150°C

Longueur

2.9mm

Normes/homologations

No

Largeur

1.3mm

Hauteur

940μm

Standard automobile

Non

Pays d'origine :
FR

Transistor MOSFET de puissance à canal N, 60 V, ON Semiconductor


Transistors MOSFET, ON Semiconductor


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