MOSFET canal N DiodesZetex 4.6 A 30 V Enrichissement, 6 broches, SOT-23 AEC-Q101
- Code commande RS:
- 669-7524
- Référence fabricant:
- ZXMN3A03E6TA
- Marque:
- DiodesZetex
Prix dégressifs sur quantité
Consulter les options de prix de grosSous-total (1 paquet de 10 unités)*
6,69 €
HT
8,03 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
En stock
- Plus 720 unité(s) expédiée(s) à partir du 16 novembre 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 0,669 € | 6,69 € |
| 100 + | 0,602 € | 6,02 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 669-7524
- Référence fabricant:
- ZXMN3A03E6TA
- Marque:
- DiodesZetex
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | DiodesZetex | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 4.6A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 30V | |
| Type de Boitier | SOT-23 | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 6 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 50mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Tension directe Vf | 950mV | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | -20V, +20V | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 12.6nC | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 1.7W | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Longueur | 3.1mm | |
| Largeur | 1.8mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Hauteur | 1.3mm | |
| Standard automobile | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque DiodesZetex | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 4.6A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 30V | ||
Type de Boitier SOT-23 | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 6 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 50mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Tension directe Vf 950mV | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs -20V, +20V | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 12.6nC | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 1.7W | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Longueur 3.1mm | ||
Largeur 1.8mm | ||
Normes/homologations No | ||
Hauteur 1.3mm | ||
Standard automobile AEC-Q101 | ||
Transistor MOSFET à canal N, 30 V, Diodes Inc
Transistors MOSFET, Diodes Inc.
Nos clients ont également consulté
- MOSFET canal N DiodesZetex 4.6 A 30 V Enrichissement SOT-23 AEC-Q101
- MOSFET canal N DiodesZetex 4.6 A 20 V Enrichissement SOT-23 DMN2058U AEC-Q101
- MOSFET canal N DiodesZetex 4.6 A 30 V Enrichissement SOT-23
- MOSFET canal N DiodesZetex 4.6 A 40 V Enrichissement SOT-23 DMN4035
- MOSFET canal N DiodesZetex 170 mA 100 V Enrichissement SOT-23 BSS123 AEC-Q101
- MOSFET canal N DiodesZetex 800 mA 100 V Enrichissement SOT-23 ZXMN10A07F AEC-Q101
- MOSFET canal N DiodesZetex 1.7 A 20 V Enrichissement SOT-23 AEC-Q101
- MOSFET canal N DiodesZetex 150 mA 60 V Enrichissement SOT-23 BS170F AEC-Q101