- Code commande RS:
- 671-0457
- Référence fabricant:
- FDN360P
- Marque:
- onsemi
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*Prix donné à titre indicatif |
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Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Transistor MOSFET à canal P PowerTrench®, Fairchild Semiconductor
Les transistors MOSFET PowerTrench® sont des commutateurs de puissance optimisés qui offrent une augmentation du rendement du système et une forte densité de puissance. Ils combinent une charge de grille (QG) réduite, une charge de recouvrement inverse (Qrr) réduite et une diode de recouvrement inverse souple, ce qui contribue à une commutation rapide du redressement synchrone dans les alimentations c.a./c.c.
Les derniers transistors MOSFET PowerTrench® emploient une structure de grille blindée offrant un équilibrage des charges. Grâce à l'utilisation de cette technologie de pointe, le facteur de mérite de ces dispositifs est considérablement inférieur à celui des générations précédentes.
Les performances de la diode de corps souple des transistors MOSFET PowerTrench® permettent d'éliminer les circuits Snubber ou de remplacer un MOSFET d'une tension nominale supérieure.
Les derniers transistors MOSFET PowerTrench® emploient une structure de grille blindée offrant un équilibrage des charges. Grâce à l'utilisation de cette technologie de pointe, le facteur de mérite de ces dispositifs est considérablement inférieur à celui des générations précédentes.
Les performances de la diode de corps souple des transistors MOSFET PowerTrench® permettent d'éliminer les circuits Snubber ou de remplacer un MOSFET d'une tension nominale supérieure.
Transistors MOSFET, ON Semi
On Semi offre une gamme substantielle de dispositifs MOSFET qui inclut>< les types haute tension ( 250 V) et basse tension ( 250 V). La technologie de pointe au silicium offre une taille de composant plus réduite. Elle est intégrée à plusieurs normes de l'industrie et dans des formats thermiquement améliorés.
Les transistors MOSFET semi-conducteurs fournissent une fiabilité de conception supérieure, des pointes de tension et des dépassements de tension réduits, pour réduire la capacité de jonction et la charge de récupération inverse, pour éliminer les composants externes supplémentaires pour maintenir les systèmes en service plus longtemps.
Les transistors MOSFET semi-conducteurs fournissent une fiabilité de conception supérieure, des pointes de tension et des dépassements de tension réduits, pour réduire la capacité de jonction et la charge de récupération inverse, pour éliminer les composants externes supplémentaires pour maintenir les systèmes en service plus longtemps.
Caractéristiques techniques
Attribut | Valeur |
---|---|
Type de canal | P |
Courant continu de Drain maximum | 2 A |
Tension Drain Source maximum | 30 V |
Série | PowerTrench |
Type de boîtier | SOT-23 |
Type de montage | CMS |
Nombre de broches | 3 |
Résistance Drain Source maximum | 80 mΩ |
Mode de canal | Enrichissement |
Tension de seuil minimale de la grille | 1V |
Dissipation de puissance maximum | 500 mW |
Configuration du transistor | Simple |
Tension Grille Source maximum | -20 V, +20 V |
Température d'utilisation maximum | +150 °C |
Longueur | 2.92mm |
Charge de Grille type @ Vgs | 6,2 nC @ 10 V |
Matériau du transistor | Si |
Largeur | 1.4mm |
Nombre d'éléments par circuit | 1 |
Température de fonctionnement minimum | -55 °C |
Hauteur | 0.94mm |
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