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    MOSFET onsemi canal N, D2PAK (TO-263) 5,8 A 800 V, 3 broches

    Ce produit n’est plus distribué
    Code commande RS:
    671-0927
    Référence fabricant:
    FQB6N80TM
    Marque:
    onsemi

    Pays d'origine :
    MY
    Attribut
    Valeur
    Type de canalN
    Courant continu de Drain maximum5,8 A
    Tension Drain Source maximum800 V
    Type de boîtierD2PAK (TO-263)
    Type de montageCMS
    Nombre de broches3
    Résistance Drain Source maximum1,95 Ω
    Mode de canalEnrichissement
    Tension de seuil minimale de la grille3V
    Dissipation de puissance maximum3,13 W
    Configuration du transistorSimple
    Tension Grille Source maximum-30 V, +30 V
    Charge de Grille type @ Vgs31 nC @ 10 V
    Largeur9.65mm
    Température d'utilisation maximum+150 °C
    Matériau du transistorSi
    Longueur10.67mm
    Nombre d'éléments par circuit1
    Température de fonctionnement minimum-55 °C
    SérieQFET
    Hauteur4.83mm

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