MOSFET canal N onsemi 1.4 A 30 V Enrichissement, 3 broches, SOT-23 PowerTrench
- Code commande RS:
- 671-1080
- Référence fabricant:
- NDS351AN
- Marque:
- onsemi
Bénéficiez d'une remise sur les achats en gros
Ajoutez 100 de plus pour économiser 4,80 €
Consulter les options de prix de grosSous-total (1 paquet de 10 unités)*
3,47 €
HT
4,16 €
TTC
Informations sur le stock actuellement indisponibles. - Veuillez vérifier plus tard
Unité | Prix par unité | le paquet* | Économie |
|---|---|---|---|
| 10 - 90 | 0,347 € | 3,47 € | - |
| 100 - 240 | 0,299 € | 2,99 € | 4,80 € |
| 250 - 490 | 0,259 € | 2,59 € | 22,00 € |
| 500 - 990 | 0,228 € | 2,28 € | 59,50 € |
| 1000 + | 0,208 € | 2,08 € | 139,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 671-1080
- Référence fabricant:
- NDS351AN
- Marque:
- onsemi
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | onsemi | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 1.4A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 30V | |
| Type de Boitier | SOT-23 | |
| Série | PowerTrench | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 250mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | -20V, +20V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 0.5W | |
| Tension directe Vf | 1.2V | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 1.8nC | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Largeur | 1.4mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Hauteur | 940μm | |
| Longueur | 2.92mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque onsemi | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 1.4A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 30V | ||
Type de Boitier SOT-23 | ||
Série PowerTrench | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 250mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs -20V, +20V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 0.5W | ||
Tension directe Vf 1.2V | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 1.8nC | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Largeur 1.4mm | ||
Normes/homologations No | ||
Hauteur 940μm | ||
Longueur 2.92mm | ||
Standard automobile Non | ||
Transistor MOSFET à canal N PowerTrench®, jusqu'à 9,9 A, Fairchild Semiconductor
Transistors MOSFET, ON Semi
On Semi offre une gamme substantielle de dispositifs MOSFET qui inclut>< les types haute tension ( 250 V) et basse tension ( 250 V). La technologie de pointe au silicium offre une taille de composant plus réduite. Elle est intégrée à plusieurs normes de l'industrie et dans des formats thermiquement améliorés.
Les transistors MOSFET semi-conducteurs fournissent une fiabilité de conception supérieure, des pointes de tension et des dépassements de tension réduits, pour réduire la capacité de jonction et la charge de récupération inverse, pour éliminer les composants externes supplémentaires pour maintenir les systèmes en service plus longtemps.
Nos clients ont également consulté
- MOSFET canal N onsemi 1.4 A 30 V Enrichissement SOT-23 PowerTrench
- MOSFET canal N onsemi 900 mA 20 V Enrichissement SOT-23 PowerTrench
- MOSFET canal N onsemi 170 mA 100 V Enrichissement SOT-23 PowerTrench
- MOSFET canal N onsemi 3 A 80 V Enrichissement SOT-23 PowerTrench
- MOSFET canal N onsemi 4.3 A 60 V Enrichissement SOT-23 PowerTrench
- MOSFET canal N onsemi 1.7 A 20 V Enrichissement SOT-23 PowerTrench
- MOSFET canal N onsemi 6.1 A 30 V Enrichissement SOT-23 PowerTrench
- MOSFET canal N onsemi 2.7 A 30 V Enrichissement SOT-23 PowerTrench