MOSFET N onsemi 21 A 300 V Enrichissement, 3 broches, JEDEC TO-220AB QFET

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Code commande RS:
671-5058
Référence fabricant:
FQP22N30
Marque:
onsemi
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Marque

onsemi

Type de canal

Type N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

21A

Tension Drain Source maximum Vds

300V

Série

QFET

Type de Boitier

JEDEC TO-220AB

Type de montage

Traversant

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

160mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Température minimum de fonctionnement

-55°C

Charge de porte typique Qg @ Vgs

47nC

Tension directe Vf

1.5V

Dissipation de puissance maximum Pd

170W

Température d'utilisation maximum

150°C

Longueur

10.1mm

Normes/homologations

No

Hauteur

9.4mm

Standard automobile

Non

Transistor MOSFET à canal N QFET®, de 11 → 30 A, Fairchild Semiconductor


Les nouveaux transistors MOSFET planaires QFET® de Fairchild Semiconductor utilisent une technologie propriétaire avancée pour offrir de meilleures performances d'exploitation pour une large gamme d'applications : alimentations, correction de facteur de puissance, convertisseurs c.c./c.c., écrans plasma, ballasts d'éclairage et contrôle de mouvement.

Ils offrent une réduction des pertes à l'état passant en abaissant la résistance à l'état passant (RDS(on), et une perte de commutation réduite en abaissant la charge de grille (Qg) et la capacité de sortie (Coss). En utilisant la technologie du processus de pointe QFET®, Fairchild peut offrir un meilleure facteur de mérite que les dispositifs MOSFET planaires concurrents.

Transistors MOSFET, ON Semi


On Semi offre une gamme substantielle de dispositifs MOSFET qui inclut>< les types haute tension ( 250 V) et basse tension ( 250 V). La technologie de pointe au silicium offre une taille de composant plus réduite. Elle est intégrée à plusieurs normes de l'industrie et dans des formats thermiquement améliorés.

Les transistors MOSFET semi-conducteurs fournissent une fiabilité de conception supérieure, des pointes de tension et des dépassements de tension réduits, pour réduire la capacité de jonction et la charge de récupération inverse, pour éliminer les composants externes supplémentaires pour maintenir les systèmes en service plus longtemps.

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