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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	onsemi
	Type de produit	MOSFET
	Type de canal	N
	Courant continu de Drain maximum Id	21A
	Tension Drain Source maximum Vds	300V
	Série	QFET
	Type de Boitier	JEDEC TO-220AB
	Type de montage	Traversant
	Nombre de broches	3
	Résistance Drain Source maximum Rds	160mΩ
	Mode de canal	Enrichissement
	Température minimum de fonctionnemen	-55°C
	Tension maximale de source de la grille Vgs	-30V, +30V
	Charge de porte typique Qg @ Vgs	47nC
	Tension directe Vf	1.5V
	Dissipation de puissance maximum Pd	170W
	Température d'utilisation maximum	150°C
	Largeur	4.7mm
	Normes/homologations	No
	Longueur	10.1mm
	Hauteur	9.4mm
	Standard automobile	Non

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	Marque onsemi
	Type de produit MOSFET
	Type de canal N
	Courant continu de Drain maximum Id 21A
	Tension Drain Source maximum Vds 300V
	Série QFET
	Type de Boitier JEDEC TO-220AB
	Type de montage Traversant
	Nombre de broches 3
	Résistance Drain Source maximum Rds 160mΩ
	Mode de canal Enrichissement
	Température minimum de fonctionnemen -55°C
	Tension maximale de source de la grille Vgs -30V, +30V
	Charge de porte typique Qg @ Vgs 47nC
	Tension directe Vf 1.5V
	Dissipation de puissance maximum Pd 170W
	Température d'utilisation maximum 150°C
	Largeur 4.7mm
	Normes/homologations No
	Longueur 10.1mm
	Hauteur 9.4mm
	Standard automobile Non

Transistor MOSFET à canal N QFET®, de 11 → 30 A, Fairchild Semiconductor

Les nouveaux transistors MOSFET planaires QFET® de Fairchild Semiconductor utilisent une technologie propriétaire avancée pour offrir de meilleures performances d'exploitation pour une large gamme d'applications : alimentations, correction de facteur de puissance, convertisseurs c.c./c.c., écrans plasma, ballasts d'éclairage et contrôle de mouvement.

Ils offrent une réduction des pertes à l'état passant en abaissant la résistance à l'état passant (RDS(on), et une perte de commutation réduite en abaissant la charge de grille (Qg) et la capacité de sortie (Coss). En utilisant la technologie du processus de pointe QFET®, Fairchild peut offrir un meilleure facteur de mérite que les dispositifs MOSFET planaires concurrents.

Transistors MOSFET, ON Semi

On Semi offre une gamme substantielle de dispositifs MOSFET qui inclut>< les types haute tension ( 250 V) et basse tension ( 250 V). La technologie de pointe au silicium offre une taille de composant plus réduite. Elle est intégrée à plusieurs normes de l'industrie et dans des formats thermiquement améliorés.

Les transistors MOSFET semi-conducteurs fournissent une fiabilité de conception supérieure, des pointes de tension et des dépassements de tension réduits, pour réduire la capacité de jonction et la charge de récupération inverse, pour éliminer les composants externes supplémentaires pour maintenir les systèmes en service plus longtemps.

MOSFET canal N onsemi 21 A 300 V Enrichissement, 3 broches, JEDEC TO-220AB QFET

Transistor MOSFET à canal N QFET®, de 11 → 30 A, Fairchild Semiconductor

Transistors MOSFET, ON Semi

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