MOSFET canal N onsemi 33 A 250 V Enrichissement, 3 broches, JEDEC TO-220AB UniFET
- Code commande RS:
- 671-4819
- Référence fabricant:
- FDP33N25
- Marque:
- onsemi
Sous-total (1 paquet de 5 unités)*
15,31 €
HT
18,37 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
Temporairement en rupture de stock
- 775 unité(s) expédiée(s) à partir du 19 octobre 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 5 + | 3,062 € | 15,31 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 671-4819
- Référence fabricant:
- FDP33N25
- Marque:
- onsemi
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | onsemi | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 33A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 250V | |
| Type de Boitier | JEDEC TO-220AB | |
| Série | UniFET | |
| Type de montage | Traversant | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 0.094Ω | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | -30V, +30V | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 235W | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 36.8nC | |
| Tension directe Vf | 1.4V | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Hauteur | 9.4mm | |
| Largeur | 4.83mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Longueur | 10.67mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque onsemi | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 33A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 250V | ||
Type de Boitier JEDEC TO-220AB | ||
Série UniFET | ||
Type de montage Traversant | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 0.094Ω | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs -30V, +30V | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 235W | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 36.8nC | ||
Tension directe Vf 1.4V | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Hauteur 9.4mm | ||
Largeur 4.83mm | ||
Normes/homologations No | ||
Longueur 10.67mm | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- MY
Transistor MOSFET à canal N UniFET™, Fairchild Semiconductor
UniFET™ MOSFET est la famille de transistors MOSFET haute tension de Fairchild Semiconductor. Elle possède la plus petite résistance à l'état passant parmi les transistors MOSFET planaires, et offre également d'excellentes performances de commutation et une plus grande résistance à l'énergie d'avalanche. En outre, la diode PESD source de matrice interne permet au transistor MOSFET UniFET-II™ de résister à des surtensions Modèle du corps humain de plus de 2 000 V.
Les transistors MOSFET UniFET™ sont adaptés aux applications de convertisseurs d'alimentation à découpage, telles que la correction de facteur de puissance, l'alimentation de téléviseurs à écrans plats, les alimentations ATX (Advanced Technology eXtended) et les ballasts de lampes électroniques.
Transistors MOSFET, ON Semi
On Semi offre une gamme substantielle de dispositifs MOSFET qui inclut>< les types haute tension ( 250 V) et basse tension ( 250 V). La technologie de pointe au silicium offre une taille de composant plus réduite. Elle est intégrée à plusieurs normes de l'industrie et dans des formats thermiquement améliorés.
Les transistors MOSFET semi-conducteurs fournissent une fiabilité de conception supérieure, des pointes de tension et des dépassements de tension réduits, pour réduire la capacité de jonction et la charge de récupération inverse, pour éliminer les composants externes supplémentaires pour maintenir les systèmes en service plus longtemps.
Nos clients ont également consulté
- MOSFET canal N onsemi 33 A 250 V Enrichissement JEDEC TO-220AB UniFET
- MOSFET canal N onsemi 75 A 75 V Enrichissement JEDEC TO-220AB UniFET
- MOSFET canal N onsemi 33 A 250 V Enrichissement TO-220F UniFET
- MOSFET canal N onsemi 33 A 250 V Enrichissement TO-263 UniFET
- MOSFET canal N onsemi 21 A 300 V Enrichissement JEDEC TO-220AB QFET
- MOSFET canal N Vishay 33 A 650 V Enrichissement JEDEC TO-220AB SF Series
- MOSFET de puissance canal N onsemi 92 A 30 V Enrichissement JEDEC TO-220AB PowerTrench
- MOSFET de puissance canal N onsemi 30 A 60 V Enrichissement JEDEC TO-220AB QFET