MOSFET P onsemi 27 A 60 V Enrichissement, 3 broches, TO-220 QFET

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Code commande RS:
671-5064
Référence fabricant:
FQP27P06
Marque:
onsemi
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Marque

onsemi

Type de canal

Type P

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

27A

Tension Drain Source maximum Vds

60V

Type de Boitier

TO-220

Série

QFET

Type de montage

Traversant

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

70mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension directe Vf

-4V

Dissipation de puissance maximum Pd

120W

Température minimum de fonctionnement

-55°C

Charge de porte typique Qg @ Vgs

33nC

Température d'utilisation maximum

175°C

Normes/homologations

No

Longueur

10.1mm

Hauteur

9.4mm

Standard automobile

Non

Transistor MOSFET à canal P QFET®, Fairchild Semiconductor


Les nouveaux transistors MOSFET planaires QFET® de Fairchild Semiconductor utilisent une technologie propriétaire avancée pour offrir de meilleures performances d'exploitation pour une large gamme d'applications : alimentations, correction de facteur de puissance, convertisseurs c.c./c.c., écrans plasma, ballasts d'éclairage et contrôle de mouvement.

Ils offrent une réduction des pertes à l'état passant en abaissant la résistance à l'état passant (RDS(on), et une perte de commutation réduite en abaissant la charge de grille (Qg) et la capacité de sortie (Coss). En utilisant la technologie du processus de pointe QFET®, Fairchild peut offrir un meilleure facteur de mérite que les dispositifs MOSFET planaires concurrents.

Transistors MOSFET, ON Semi


On Semi offre une gamme substantielle de dispositifs MOSFET qui inclut>< les types haute tension ( 250 V) et basse tension ( 250 V). La technologie de pointe au silicium offre une taille de composant plus réduite. Elle est intégrée à plusieurs normes de l'industrie et dans des formats thermiquement améliorés.

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