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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	onsemi
	Type de produit	MOSFET
	Type de canal	Type P
	Courant continu de Drain maximum Id	27A
	Tension Drain Source maximum Vds	60V
	Type de Boitier	TO-220
	Série	QFET
	Type de montage	Traversant
	Nombre de broches	3
	Résistance Drain Source maximum Rds	70mΩ
	Mode de canal	Enrichissement
	Tension maximale de source de la grille Vgs	-25, +25V
	Tension directe Vf	-4V
	Charge de porte typique Qg @ Vgs	33nC
	Température minimum de fonctionnemen	-55°C
	Dissipation de puissance maximum Pd	120W
	Température d'utilisation maximum	175°C
	Hauteur	9.4mm
	Largeur	4.7mm
	Normes/homologations	No
	Longueur	10.1mm
	Standard automobile	Non

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	Marque onsemi
	Type de produit MOSFET
	Type de canal Type P
	Courant continu de Drain maximum Id 27A
	Tension Drain Source maximum Vds 60V
	Type de Boitier TO-220
	Série QFET
	Type de montage Traversant
	Nombre de broches 3
	Résistance Drain Source maximum Rds 70mΩ
	Mode de canal Enrichissement
	Tension maximale de source de la grille Vgs -25, +25V
	Tension directe Vf -4V
	Charge de porte typique Qg @ Vgs 33nC
	Température minimum de fonctionnemen -55°C
	Dissipation de puissance maximum Pd 120W
	Température d'utilisation maximum 175°C
	Hauteur 9.4mm
	Largeur 4.7mm
	Normes/homologations No
	Longueur 10.1mm
	Standard automobile Non

Transistor MOSFET à canal P QFET®, Fairchild Semiconductor

Les nouveaux transistors MOSFET planaires QFET® de Fairchild Semiconductor utilisent une technologie propriétaire avancée pour offrir de meilleures performances d'exploitation pour une large gamme d'applications : alimentations, correction de facteur de puissance, convertisseurs c.c./c.c., écrans plasma, ballasts d'éclairage et contrôle de mouvement.

Ils offrent une réduction des pertes à l'état passant en abaissant la résistance à l'état passant (RDS(on), et une perte de commutation réduite en abaissant la charge de grille (Qg) et la capacité de sortie (Coss). En utilisant la technologie du processus de pointe QFET®, Fairchild peut offrir un meilleure facteur de mérite que les dispositifs MOSFET planaires concurrents.

Transistors MOSFET, ON Semi

On Semi offre une gamme substantielle de dispositifs MOSFET qui inclut>< les types haute tension ( 250 V) et basse tension ( 250 V). La technologie de pointe au silicium offre une taille de composant plus réduite. Elle est intégrée à plusieurs normes de l'industrie et dans des formats thermiquement améliorés.

Les transistors MOSFET semi-conducteurs fournissent une fiabilité de conception supérieure, des pointes de tension et des dépassements de tension réduits, pour réduire la capacité de jonction et la charge de récupération inverse, pour éliminer les composants externes supplémentaires pour maintenir les systèmes en service plus longtemps.

13,12 €

2,624 €/unité

MOSFET P onsemi 27 A 60 V Enrichissement, 3 broches, TO-220 QFET

Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €

Transistor MOSFET à canal P QFET®, Fairchild Semiconductor

Transistors MOSFET, ON Semi

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