MOSFET P onsemi 27 A 60 V Enrichissement, 3 broches, TO-263 QFET
- Code commande RS:
- 671-0873
- Référence fabricant:
- FQB27P06TM
- Marque:
- onsemi
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- Code commande RS:
- 671-0873
- Référence fabricant:
- FQB27P06TM
- Marque:
- onsemi
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | onsemi | |
| Type de canal | Type P | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 27A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 60V | |
| Type de Boitier | TO-263 | |
| Série | QFET | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 70mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 33nC | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 3.75W | |
| Tension directe Vf | -4V | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | -25V, +25V | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Hauteur | 4.83mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Largeur | 9.65mm | |
| Longueur | 10.67mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque onsemi | ||
Type de canal Type P | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 27A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 60V | ||
Type de Boitier TO-263 | ||
Série QFET | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 70mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 33nC | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 3.75W | ||
Tension directe Vf -4V | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs -25V, +25V | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Hauteur 4.83mm | ||
Normes/homologations No | ||
Largeur 9.65mm | ||
Longueur 10.67mm | ||
Standard automobile Non | ||
MOSFET à canal P à mode d'enrichissement, on Semiconductor
La gamme de transistors MOSFET à canal P d'ON Semiconductors est produite à l'aide de la technologie DMOS propriétaire à haute densité de cellules d'ON Semi. Ce processus à très haute densité a été conçu pour minimiser la résistance à l'état passant afin de fournir des performances robustes et fiables pour une commutation rapide.
Caractéristiques et avantages :
Commutateur de petit signal à canal P contrôlé par tension
Conception de cellule haute densité
• Courant de saturation élevé
• commutation supérieure
Excellentes performances robustes et fiables
Technologie DMOS
Applications :
Commutation de charge
• Convertisseur c.c./c.c.
Protection de batterie
• Commande de gestion de l'alimentation
Commande de moteur c.c.
Transistors MOSFET, ON Semi
On Semi offre une gamme substantielle de dispositifs MOSFET qui inclut>< les types haute tension ( 250 V) et basse tension ( 250 V). La technologie de pointe au silicium offre une taille de composant plus réduite. Elle est intégrée à plusieurs normes de l'industrie et dans des formats thermiquement améliorés.
Les transistors MOSFET semi-conducteurs fournissent une fiabilité de conception supérieure, des pointes de tension et des dépassements de tension réduits, pour réduire la capacité de jonction et la charge de récupération inverse, pour éliminer les composants externes supplémentaires pour maintenir les systèmes en service plus longtemps.
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