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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	onsemi
	Type de canal	Type P
	Type de produit	MOSFET
	Courant continu de Drain maximum Id	27A
	Tension Drain Source maximum Vds	60V
	Série	QFET
	Type de Boitier	TO-263
	Type de montage	En surface
	Nombre de broches	3
	Résistance Drain Source maximum Rds	70mΩ
	Mode de canal	Enrichissement
	Tension directe Vf	-4V
	Dissipation de puissance maximum Pd	3.75W
	Tension maximale de source de la grille Vgs	-25V, +25V
	Charge de porte typique Qg @ Vgs	33nC
	Température minimum de fonctionnemen	-55°C
	Température d'utilisation maximum	175°C
	Largeur	9.65mm
	Longueur	10.67mm
	Normes/homologations	No
	Hauteur	4.83mm
	Standard automobile	Non

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	Marque onsemi
	Type de canal Type P
	Type de produit MOSFET
	Courant continu de Drain maximum Id 27A
	Tension Drain Source maximum Vds 60V
	Série QFET
	Type de Boitier TO-263
	Type de montage En surface
	Nombre de broches 3
	Résistance Drain Source maximum Rds 70mΩ
	Mode de canal Enrichissement
	Tension directe Vf -4V
	Dissipation de puissance maximum Pd 3.75W
	Tension maximale de source de la grille Vgs -25V, +25V
	Charge de porte typique Qg @ Vgs 33nC
	Température minimum de fonctionnemen -55°C
	Température d'utilisation maximum 175°C
	Largeur 9.65mm
	Longueur 10.67mm
	Normes/homologations No
	Hauteur 4.83mm
	Standard automobile Non

MOSFET à canal P à mode d'enrichissement, on Semiconductor

La gamme de transistors MOSFET à canal P d'ON Semiconductors est produite à l'aide de la technologie DMOS propriétaire à haute densité de cellules d'ON Semi. Ce processus à très haute densité a été conçu pour minimiser la résistance à l'état passant afin de fournir des performances robustes et fiables pour une commutation rapide.

Caractéristiques et avantages :

Commutateur de petit signal à canal P contrôlé par tension

Conception de cellule haute densité

• Courant de saturation élevé

• commutation supérieure

Excellentes performances robustes et fiables

Technologie DMOS

Applications :

Commutation de charge

• Convertisseur c.c./c.c.

Protection de batterie

• Commande de gestion de l'alimentation

Commande de moteur c.c.

Transistors MOSFET, ON Semi

On Semi offre une gamme substantielle de dispositifs MOSFET qui inclut>< les types haute tension ( 250 V) et basse tension ( 250 V). La technologie de pointe au silicium offre une taille de composant plus réduite. Elle est intégrée à plusieurs normes de l'industrie et dans des formats thermiquement améliorés.

Les transistors MOSFET semi-conducteurs fournissent une fiabilité de conception supérieure, des pointes de tension et des dépassements de tension réduits, pour réduire la capacité de jonction et la charge de récupération inverse, pour éliminer les composants externes supplémentaires pour maintenir les systèmes en service plus longtemps.

726,40 €

0,908 €/unité

MOSFET P onsemi 27 A 60 V Enrichissement, 3 broches, TO-263 QFET

Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €

MOSFET à canal P à mode d'enrichissement, on Semiconductor

Caractéristiques et avantages :

Applications :

Transistors MOSFET, ON Semi

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