MOSFET N STMicroelectronics 5.8 A 900 V Enrichissement, 3 broches, TO-263 MDmesh, SuperMESH

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687-5140
Référence fabricant:
STB6NK90ZT4
Marque:
STMicroelectronics
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Marque

STMicroelectronics

Type de canal

Type N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

5.8A

Tension Drain Source maximum Vds

900V

Type de Boitier

TO-263

Série

MDmesh, SuperMESH

Type de montage

Surface

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

Mode de canal

Enrichissement

Dissipation de puissance maximum Pd

140W

Charge de porte typique Qg @ Vgs

46.5nC

Tension directe Vf

1.6V

Température minimum de fonctionnement

-55°C

Température d'utilisation maximum

150°C

Longueur

10.4mm

Normes/homologations

No

Hauteur

4.6mm

Standard automobile

Non

Canal N MDmesh™ SuperMESH™, 700 V à 1 200 V, STMicroelectronics


Transistors MOSFET, ROHM, STMicroelectronics


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