MOSFET STMicroelectronics canal N, D2PAK (TO-263) 30 A 710 V, 3 broches

Code commande RS:: 920-8821
Référence fabricant:: STB38N65M5
Marque:: STMicroelectronics

MOSFET STMicroelectronics canal N, D2PAK (TO-263) 30 A 710 V, 3 broches

En cours d'approvisionnement

Prix pour l'unité (en bobine de 1000)

3,397 €

4,076 €

Unité	Prix par unité	la bobine*
1000 +	3,397 €	3 397,00 €

*Prix donné à titre indicatif

Code commande RS:: 920-8821
Référence fabricant:: STB38N65M5
Marque:: STMicroelectronics

Documentation technique

Datasheet

Législation et Conformité

Détail produit

Canal N MDmesh™ série M5, STMicroelectronics

Les transistors de puissance MOSFET MDmesh M5 sont optimisés pour les topologies PFC et PWM haute puissance. Les principales caractéristiques incluent une zone de faible perte à l'état passant par silicone combinée à une faible charge de grille. Ils sont conçus pour les applications de commutation difficile éco-énergétiques, compactes et fiables, telles que les convertisseurs d'énergie solaire, les alimentations pour les produits de consommation et les commandes d'éclairage électronique.

Transistors MOSFET, ROHM, STMicroelectronics

Caractéristiques techniques

Attribut	Valeur
Type de canal	N
Courant continu de Drain maximum	30 A
Tension Drain Source maximum	710 V
Série	MDmesh M5
Type de boîtier	D2PAK (TO-263)
Type de montage	CMS
Nombre de broches	3
Résistance Drain Source maximum	95 mΩ
Mode de canal	Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille	5V
Tension de seuil minimale de la grille	3V
Dissipation de puissance maximum	190 W
Configuration du transistor	Simple
Tension Grille Source maximum	-25 V, +25 V
Nombre d'éléments par circuit	1
Matériau du transistor	Si
Largeur	9.35mm
Charge de Grille type @ Vgs	71 nC @ 10 V
Longueur	10.4mm
Température d'utilisation maximum	+150 °C
Hauteur	4.6mm