MOSFET canal N STMicroelectronics 120 A 100 V Enrichissement, 3 broches, TO-263 STripFET II

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Code commande RS:
920-6569
Référence fabricant:
STB120NF10T4
Marque:
STMicroelectronics
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Marque

STMicroelectronics

Type de produit

MOSFET

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum Id

120A

Tension Drain Source maximum Vds

100V

Type de Boitier

TO-263

Série

STripFET II

Type de montage

En surface

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

10.5mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Charge de porte typique Qg @ Vgs

172nC

Tension maximale de source de la grille Vgs

-20V, +20V

Tension directe Vf

1.3V

Dissipation de puissance maximum Pd

312W

Température d'utilisation maximum

175°C

Longueur

10.4mm

Hauteur

4.6mm

Normes/homologations

No

Largeur

9.35mm

Standard automobile

Non

Canal N STripFET™ II, STMicroelectronics


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