MOSFET canal N STMicroelectronics 55 A 60 V Enrichissement, 3 broches, TO-263 STripFET II

Prix dégressifs sur quantité
Consulter les options de prix de gros

Sous-total (1000 unités, sur une bobine de 1000)*

854,00 €

HT

1 025,00 €

TTC

Add to Basket
Sélectionner ou entrer la quantité
Temporairement en rupture de stock
  • Expédition à partir du 27 janvier 2027
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails

Unité
Prix par unité
la bobine*
1000 - 10000,854 €854,00 €
2000 - 40000,802 €802,00 €
5000 - 90000,793 €793,00 €
10000 +0,783 €783,00 €

*Prix donné à titre indicatif

Code commande RS:
920-8792
Référence fabricant:
STB55NF06LT4
Marque:
STMicroelectronics
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

STMicroelectronics

Type de produit

MOSFET

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum Id

55A

Tension Drain Source maximum Vds

60V

Type de Boitier

TO-263

Série

STripFET II

Type de montage

En surface

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

20mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension directe Vf

1.6V

Charge de porte typique Qg @ Vgs

27nC

Tension maximale de source de la grille Vgs

-16V, +16V

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Dissipation de puissance maximum Pd

95W

Température d'utilisation maximum

175°C

Normes/homologations

No

Largeur

10.4mm

Longueur

10.75mm

Hauteur

4.6mm

Standard automobile

Non

Canal N STripFET™ II, STMicroelectronics


Les transistors MOSFET STripFET™, avec une large gamme de tension d'isolement, offrent une charge de grille et une résistance très faibles.

Transistors MOSFET, ROHM, STMicroelectronics


Nos clients ont également consulté

Soyez informé.e de nos dernières nouveautés et actualités

Votre adresse e-mail

En m'inscrivant à la newsletter, j'accepte la politique de protection des données de RS France. Je pourrai me désinscrire à tout moment.