MOSFET canal N STMicroelectronics 55 A 60 V Enrichissement, 3 broches, TO-263 STripFET II

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Code commande RS:
761-0405
Référence fabricant:
STB55NF06LT4
Marque:
STMicroelectronics
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Marque

STMicroelectronics

Type de canal

N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

55A

Tension Drain Source maximum Vds

60V

Série

STripFET II

Type de Boitier

TO-263

Type de montage

En surface

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

20mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Charge de porte typique Qg @ Vgs

27nC

Dissipation de puissance maximum Pd

95W

Tension maximale de source de la grille Vgs

-16V, +16V

Tension directe Vf

1.6V

Température d'utilisation maximum

175°C

Normes/homologations

No

Longueur

10.75mm

Largeur

10.4mm

Hauteur

4.6mm

Standard automobile

Non

Canal N STripFET™ II, STMicroelectronics


Les transistors MOSFET STripFET™, avec une large gamme de tension d'isolement, offrent une charge de grille et une résistance très faibles.

Transistors MOSFET, ROHM, STMicroelectronics


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