MOSFET canal N STMicroelectronics 60 A 60 V Enrichissement, 3 broches, TO-263 STripFET II AEC-Q101

Prix dégressifs sur quantité
Consulter les options de prix de gros

Sous-total (1 paquet de 5 unités)*

11,52 €

HT

13,825 €

TTC

Add to Basket
Sélectionner ou entrer la quantité
Temporairement en rupture de stock
  • Expédition à partir du 04 janvier 2027
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails

Unité
Prix par unité
le paquet*
5 - 452,304 €11,52 €
50 - 2451,876 €9,38 €
250 - 4951,428 €7,14 €
500 +1,268 €6,34 €

*Prix donné à titre indicatif

Options de conditionnement :
Code commande RS:
795-6944
Référence fabricant:
STB60NF06LT4
Marque:
STMicroelectronics
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

STMicroelectronics

Type de canal

N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

60A

Tension Drain Source maximum Vds

60V

Type de Boitier

TO-263

Série

STripFET II

Type de montage

En surface

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

14mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Charge de porte typique Qg @ Vgs

35nC

Dissipation de puissance maximum Pd

110W

Température minimum de fonctionnemen

-65°C

Tension directe Vf

1.3V

Tension maximale de source de la grille Vgs

15V

Température d'utilisation maximum

175°C

Normes/homologations

No

Largeur

9.35mm

Longueur

10.4mm

Hauteur

4.6mm

Standard automobile

AEC-Q101

Canal N STripFET™ II, STMicroelectronics


Les transistors MOSFET STripFET™, avec une large gamme de tension d'isolement, offrent une charge de grille et une résistance très faibles.

Transistors MOSFET, ROHM, STMicroelectronics


Nos clients ont également consulté

Soyez informé.e de nos dernières nouveautés et actualités

Votre adresse e-mail

En m'inscrivant à la newsletter, j'accepte la politique de protection des données de RS France. Je pourrai me désinscrire à tout moment.