MOSFET STMicroelectronics canal N, A-220 120 A 100 V, 3 broches

Code commande RS:: 687-5295
Référence fabricant:: STP120NF10
Marque:: STMicroelectronics

MOSFET STMicroelectronics canal N, A-220 120 A 100 V, 3 broches

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Code commande RS:: 687-5295
Référence fabricant:: STP120NF10
Marque:: STMicroelectronics

MOSFET N-ch 120A 100V STripFET II D2PAK
Datasheet

Code commande RS:: 687-5295
Référence fabricant:: STP120NF10
Marque:: STMicroelectronics

MOSFET N-ch 120A 100V STripFET II D2PAK
Datasheet

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Attribut	Valeur
Type de canal	N
Courant continu de Drain maximum	120 A
Tension Drain Source maximum	100 V
Type de boîtier	A-220
Série	STripFET II
Type de montage	Traversant
Nombre de broches	3
Résistance Drain Source maximum	10,5 mΩ
Mode de canal	Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille	4V
Tension de seuil minimale de la grille	2V
Dissipation de puissance maximum	312 W
Configuration du transistor	Simple
Tension Grille Source maximum	-20 V, +20 V
Charge de Grille type @ Vgs	172 nC @ 10 V
Nombre d'éléments par circuit	1
Matériau du transistor	Si
Largeur	4.6mm
Longueur	10.4mm
Température d'utilisation maximum	+175 °C
Hauteur	9.15mm
Température de fonctionnement minimum	-55 °C

Attribut	Valeur
Type de canal	N
Courant continu de Drain maximum	120 A
Tension Drain Source maximum	100 V
Type de boîtier	A-220
Série	STripFET II
Type de montage	Traversant
Nombre de broches	3
Résistance Drain Source maximum	10,5 mΩ
Mode de canal	Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille	4V
Tension de seuil minimale de la grille	2V
Dissipation de puissance maximum	312 W
Configuration du transistor	Simple
Tension Grille Source maximum	-20 V, +20 V
Charge de Grille type @ Vgs	172 nC @ 10 V
Nombre d'éléments par circuit	1
Matériau du transistor	Si
Largeur	4.6mm
Longueur	10.4mm
Température d'utilisation maximum	+175 °C
Hauteur	9.15mm
Température de fonctionnement minimum	-55 °C

MOSFET STMicroelectronics canal N, A-220 120 A 100 V, 3 broches

Canal N STripFET™ II, STMicroelectronics

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