- Code commande RS:
- 710-3248
- Référence fabricant:
- SI2305CDS-T1-GE3
- Marque:
- Vishay
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Prix pour l'unité (par multiple de 20)
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TTC
Unité | Prix par unité | le paquet* |
20 - 180 | 0,355 € | 7,10 € |
200 - 480 | 0,249 € | 4,98 € |
500 - 980 | 0,213 € | 4,26 € |
1000 - 1980 | 0,178 € | 3,56 € |
2000 + | 0,16 € | 3,20 € |
*Prix donné à titre indicatif |
- Code commande RS:
- 710-3248
- Référence fabricant:
- SI2305CDS-T1-GE3
- Marque:
- Vishay
Documentation technique
Législation et Conformité
- Pays d'origine :
- CN
Détail produit
Transistor MOSFET canal P, de 8 à 20 V, Vishay Semiconductor
Transistors MOSFET, Vishay Semiconductor
Caractéristiques techniques
Attribut | Valeur |
---|---|
Type de canal | P |
Courant continu de Drain maximum | 4.4 A |
Tension Drain Source maximum | 8 V |
Type de boîtier | SOT-23 |
Type de montage | CMS |
Nombre de broches | 3 |
Résistance Drain Source maximum | 35 mΩ |
Mode de canal | Enrichissement |
Tension de seuil minimale de la grille | 0.4V |
Dissipation de puissance maximum | 960 mW |
Configuration du transistor | Simple |
Tension Grille Source maximum | -8 V, +8 V |
Largeur | 1.4mm |
Température d'utilisation maximum | +150 °C |
Nombre d'éléments par circuit | 1 |
Longueur | 3.04mm |
Charge de Grille type @ Vgs | 12 nC @ 4,5 V, 20 nC @ 8 V |
Matériau du transistor | Si |
Température de fonctionnement minimum | -55 °C |
Hauteur | 1.02mm |