Transistor MOSFET Vishay canal P, SOT-23 5.1 A 12 V, 3 broches

Code commande RS:: 710-3260
Référence fabricant:: SI2333CDS-T1-GE3
Marque:: Vishay

Transistor MOSFET Vishay canal P, SOT-23 5.1 A 12 V, 3 broches

En cours d'approvisionnement

Ajouté

Prix pour l'unité (par multiple de 10)

0,462 €

0,554 €

Unité	Prix par unité	le paquet*
10 - 40	0,462 €	4,62 €
50 - 90	0,46 €	4,60 €
100 - 240	0,406 €	4,06 €
250 - 490	0,357 €	3,57 €
500 +	0,322 €	3,22 €
*Prix donné à titre indicatif

Proposition de remplacement

MOSFET Vishay canal P, SOT-23 6 A 12 V, 3 broches

0,486 €

l'unité (par multiple de 10)

Code commande RS: 787-9222

Code commande RS:: 710-3260
Référence fabricant:: SI2333CDS-T1-GE3
Marque:: Vishay

Documentation technique

Trans MOSFET P-CH 12V 5.1A

Législation et Conformité

Pays d'origine :: CN

Détail produit

Transistor MOSFET canal P, de 8 à 20 V, Vishay Semiconductor

Transistors MOSFET, Vishay Semiconductor

Caractéristiques techniques

Attribut	Valeur
Type de canal	P
Courant continu de Drain maximum	5.1 A
Tension Drain Source maximum	12 V
Type de boîtier	SOT-23
Type de montage	CMS
Nombre de broches	3
Résistance Drain Source maximum	35 mΩ
Mode de canal	Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille	0.4V
Dissipation de puissance maximum	1250 mW
Tension Grille Source maximum	-8 V, +8 V
Charge de Grille type @ Vgs	15 nC @ 4,5 V, 9 nC @ 2,5 V
Nombre d'éléments par circuit	1
Longueur	3.04mm
Température d'utilisation maximum	+150 °C
Largeur	1.4mm
Hauteur	1.02mm
Température de fonctionnement minimum	-55 °C

Code commande RS:: 710-3260
Référence fabricant:: SI2333CDS-T1-GE3
Marque:: Vishay

Trans MOSFET P-CH 12V 5.1A

Transistor MOSFET Vishay canal P, SOT-23 5.1 A 12 V, 3 broches

Proposition de remplacement

Documentation technique

Législation et Conformité

Détail produit

Transistor MOSFET canal P, de 8 à 20 V, Vishay Semiconductor

Caractéristiques techniques

Transistor MOSFET canal P, de 8 à 20 V, Vishay Semiconductor

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