Attribut	Valeur
Type de canal	N
Courant continu de Drain maximum	19 A
Tension Drain Source maximum	30 V
Type de boîtier	PowerPAK SO-8
Type de montage	CMS
Nombre de broches	8
Résistance Drain Source maximum	8 mΩ
Mode de canal	Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille	1V
Dissipation de puissance maximum	4,8 W
Configuration du transistor	Simple
Tension Grille Source maximum	-20 V, +20 V
Largeur	5.89mm
Température d'utilisation maximum	+150 °C
Nombre d'éléments par circuit	1
Charge de Grille type @ Vgs	20 nC @ 10 V, 8,8 nC @ 4,5 V
Longueur	4.9mm
Matériau du transistor	Si
Hauteur	1.04mm
Température de fonctionnement minimum	-55 °C

Attribut	Valeur
Type de canal	N
Courant continu de Drain maximum	19 A
Tension Drain Source maximum	30 V
Type de boîtier	PowerPAK SO-8
Type de montage	CMS
Nombre de broches	8
Résistance Drain Source maximum	8 mΩ
Mode de canal	Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille	1V
Dissipation de puissance maximum	4,8 W
Configuration du transistor	Simple
Tension Grille Source maximum	-20 V, +20 V
Largeur	5.89mm
Température d'utilisation maximum	+150 °C
Nombre d'éléments par circuit	1
Charge de Grille type @ Vgs	20 nC @ 10 V, 8,8 nC @ 4,5 V
Longueur	4.9mm
Matériau du transistor	Si
Hauteur	1.04mm
Température de fonctionnement minimum	-55 °C

MOSFET Vishay canal N, PowerPAK SO-8 19 A 30 V, 8 broches

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