Attribut	Valeur
Type de canal	N
Courant continu de Drain maximum	48 A
Tension Drain Source maximum	500 V
Série	HiperFET
Type de boîtier	TO-264AA
Type de montage	Traversant
Nombre de broches	3
Résistance Drain Source maximum	100 mΩ
Mode de canal	Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille	4V
Dissipation de puissance maximum	500000 mW
Configuration du transistor	Simple
Tension Grille Source maximum	-20 V, +20 V
Matériau du transistor	Si
Largeur	5.13mm
Charge de Grille type @ Vgs	270 nC @ 10 V
Longueur	19.96mm
Nombre d'éléments par circuit	1
Température d'utilisation maximum	+150 °C
Hauteur	26.16mm
Température de fonctionnement minimum	-55 °C

Attribut	Valeur
Type de canal	N
Courant continu de Drain maximum	48 A
Tension Drain Source maximum	500 V
Série	HiperFET
Type de boîtier	TO-264AA
Type de montage	Traversant
Nombre de broches	3
Résistance Drain Source maximum	100 mΩ
Mode de canal	Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille	4V
Dissipation de puissance maximum	500000 mW
Configuration du transistor	Simple
Tension Grille Source maximum	-20 V, +20 V
Matériau du transistor	Si
Largeur	5.13mm
Charge de Grille type @ Vgs	270 nC @ 10 V
Longueur	19.96mm
Nombre d'éléments par circuit	1
Température d'utilisation maximum	+150 °C
Hauteur	26.16mm
Température de fonctionnement minimum	-55 °C

MOSFET IXYS canal N, TO-264AA 48 A 500 V, 3 broches

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