MOSFET N IXYS 48 A 500 V Enrichissement, 3 broches, TO-264 HiperFET

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711-5367
Numéro d'article Distrelec:
302-53-350
Référence fabricant:
IXFK48N50
Marque:
IXYS
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Marque

IXYS

Type de canal

Type N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

48A

Tension Drain Source maximum Vds

500V

Série

HiperFET

Type de Boitier

TO-264

Type de montage

Traversant

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

100mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Charge de porte typique Qg @ Vgs

270nC

Tension directe Vf

1.5V

Dissipation de puissance maximum Pd

500W

Température minimum de fonctionnement

-55°C

Température d'utilisation maximum

150°C

Hauteur

26.16mm

Longueur

19.96mm

Normes/homologations

No

Standard automobile

Non

Transistor MOSFET de puissance à canal N, IXYS série HiperFET™


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