MOSFET canal N STMicroelectronics 400 mA 600 V Enrichissement, 3 broches, TO-92 MDmesh, SuperMESH

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Options de conditionnement :
Code commande RS:
714-6796
Référence fabricant:
STQ1HNK60R-AP
Marque:
STMicroelectronics
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Marque

STMicroelectronics

Type de canal

N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

400mA

Tension Drain Source maximum Vds

600V

Type de Boitier

TO-92

Série

MDmesh, SuperMESH

Type de montage

Traversant

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

8.5Ω

Mode de canal

Enrichissement

Charge de porte typique Qg @ Vgs

7nC

Tension maximale de source de la grille Vgs

-30V, +30V

Tension directe Vf

1.6V

Dissipation de puissance maximum Pd

3W

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Température d'utilisation maximum

150°C

Normes/homologations

No

Longueur

4.95mm

Hauteur

4.95mm

Largeur

3.94mm

Standard automobile

Non

Canal N MDmesh™ SuperMESH™, 250 V à 650 V, STMicroelectronics


Transistors MOSFET, ROHM, STMicroelectronics


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