MOSFET canal N DiodesZetex 2.8 A 60 V Enrichissement, 4 broches, SOT-223 IntelliFET
- Code commande RS:
- 738-5229
- Référence fabricant:
- ZXMS6006SGTA
- Marque:
- DiodesZetex
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- Code commande RS:
- 738-5229
- Référence fabricant:
- ZXMS6006SGTA
- Marque:
- DiodesZetex
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | DiodesZetex | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 2.8A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 60V | |
| Type de Boitier | SOT-223 | |
| Série | IntelliFET | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 4 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 125mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 1.6W | |
| Température minimum de fonctionnemen | -40°C | |
| Température d'utilisation maximum | 125°C | |
| Largeur | 3.55mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Hauteur | 1.65mm | |
| Longueur | 6.55mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque DiodesZetex | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 2.8A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 60V | ||
Type de Boitier SOT-223 | ||
Série IntelliFET | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 4 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 125mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 1.6W | ||
Température minimum de fonctionnemen -40°C | ||
Température d'utilisation maximum 125°C | ||
Largeur 3.55mm | ||
Normes/homologations No | ||
Hauteur 1.65mm | ||
Longueur 6.55mm | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- DE
Transistors MOSFET autoprotégés IntelliFET, Diodes Inc
Les IntelliFET sont des transistors MOSFET à protection automatique dotés d'un ensemble complet de circuits de protection contre les ESD (circuits électrostatiques sensibles), la surintensité, la surtension et la surchauffe.
Protection contre les courts-circuits avec redémarrage automatique.
Protection contre les surtensions (attache active)
Protection contre les surintensités.
Protection d'entrée (ESD)
Valeur nominale du courant continu élevée
Protection contre les pertes de charge
Entrée de niveau logique
Transistors MOSFET, Diodes Inc.
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