Attribut	Valeur
Type de canal	N
Courant continu de Drain maximum	5 A
Tension Drain Source maximum	70 V
Série	TetraFET
Type de boîtier	DA
Type de montage	Montage à visser
Nombre de broches	4
Résistance Drain Source maximum	1 Ω
Mode de canal	Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille	7V
Dissipation de puissance maximum	50 W
Configuration du transistor	Simple
Tension Grille Source maximum	-20 V, +20 V
Nombre d'éléments par circuit	1
Matériau du transistor	Si
Largeur	9.52mm
Longueur	24.76mm
Température d'utilisation maximum	+200 °C
Hauteur	6.6mm

Attribut	Valeur
Type de canal	N
Courant continu de Drain maximum	5 A
Tension Drain Source maximum	70 V
Série	TetraFET
Type de boîtier	DA
Type de montage	Montage à visser
Nombre de broches	4
Résistance Drain Source maximum	1 Ω
Mode de canal	Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille	7V
Dissipation de puissance maximum	50 W
Configuration du transistor	Simple
Tension Grille Source maximum	-20 V, +20 V
Nombre d'éléments par circuit	1
Matériau du transistor	Si
Largeur	9.52mm
Longueur	24.76mm
Température d'utilisation maximum	+200 °C
Hauteur	6.6mm

MOSFET Semelab canal N, DA 5 A 70 V, 4 broches

Nos clients ont également consulté