MOSFET 1 canal N Simple onsemi 16 A 600 V Enrichissement, 3 broches, TO-220F SupreMOS
- Code commande RS:
- 739-6165
- Référence fabricant:
- FCPF16N60NT
- Marque:
- onsemi
Actuellement indisponible
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- Code commande RS:
- 739-6165
- Référence fabricant:
- FCPF16N60NT
- Marque:
- onsemi
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | onsemi | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 16A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 600V | |
| Type de Boitier | TO-220F | |
| Série | SupreMOS | |
| Type de montage | Traversant | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 199mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 30, -30V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 35.7W | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Configuration du transistor | Simple | |
| Hauteur | 15.9mm | |
| Longueur | 10.16mm | |
| Largeur | 4.7mm | |
| Nombre d'éléments par circuit | 1 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque onsemi | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 16A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 600V | ||
Type de Boitier TO-220F | ||
Série SupreMOS | ||
Type de montage Traversant | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 199mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 30, -30V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 35.7W | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Configuration du transistor Simple | ||
Hauteur 15.9mm | ||
Longueur 10.16mm | ||
Largeur 4.7mm | ||
Nombre d'éléments par circuit 1 | ||
Transistor MOSFET SupreMOS®, Fairchild Semiconductor
Fairchild propose une nouvelle génération de transistors MOSFET à super jonction de 600 V - SupreMOS®.
La combinaison de leur faible RDS(on) et de leur charge de grille totale permet de réduire de 40 % la figure de mérite (FOM) par rapport aux MOSFET SuperFETTM de 600 V de Fairchild. En outre, la famille SupreMOS offre une faible charge de grille pour le même RDS(on), fournissant d'excellentes performances de commutation et fournissant 20 % de moins de pertes de commutation et de conduction, ce qui se traduit par un rendement plus élevé.
Ces caractéristiques permettent aux alimentations de répondre à la classification ENERGY STAR® 80 PLUS Gold pour les PC de bureau et à la classification Platinum pour les serveurs.
Transistors MOSFET, ON Semi
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Les transistors MOSFET semi-ON offrent une fiabilité de conception supérieure, de la réduction des pics de tension et de la surtension, à la réduction de la capacité de jonction et de la charge de récupération inverse, à l'élimination de composants externes supplémentaires pour maintenir les systèmes en marche et en fonctionnement plus longtemps.
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