MOSFET onsemi canal N, TO-220F 16 A 600 V, 3 broches
- Code commande RS:
- 739-6165
- Référence fabricant:
- FCPF16N60NT
- Marque:
- onsemi
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50 - 99 | 3,21 € |
100 + | 2,96 € |
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Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Transistor MOSFET SupreMOS®, Fairchild Semiconductor
Fairchild introduit une nouvelle génération de transistors MOSFET 600 V Super Junction : SupreMOS®.
La combinaison de leur RDS(on) et de leur charge totale de grille faibles améliore de 40 % le facteur de mérite par rapport aux transistors MOSFET 600 V SuperFET™ de Fairchild. Par ailleurs, la famille SupreMOS offre une faible charge de grille pour le même RDS(on), offrant d'excellentes performances de commutation et une baisse de 20 % des pertes de conduction et de commutation, pour un meilleur rendement.
Ces caractéristiques permettent aux alimentations de répondre aux exigences des classifications Energy Star 80 PLUS Gold et Platinum pour ordinateurs de bureau et serveurs.
La combinaison de leur RDS(on) et de leur charge totale de grille faibles améliore de 40 % le facteur de mérite par rapport aux transistors MOSFET 600 V SuperFET™ de Fairchild. Par ailleurs, la famille SupreMOS offre une faible charge de grille pour le même RDS(on), offrant d'excellentes performances de commutation et une baisse de 20 % des pertes de conduction et de commutation, pour un meilleur rendement.
Ces caractéristiques permettent aux alimentations de répondre aux exigences des classifications Energy Star 80 PLUS Gold et Platinum pour ordinateurs de bureau et serveurs.
Transistors MOSFET, ON Semi
On Semi offre une gamme substantielle de dispositifs MOSFET qui inclut>< les types haute tension ( 250 V) et basse tension ( 250 V). La technologie de pointe au silicium offre une taille de composant plus réduite. Elle est intégrée à plusieurs normes de l'industrie et dans des formats thermiquement améliorés.
Les transistors MOSFET semi-conducteurs fournissent une fiabilité de conception supérieure, des pointes de tension et des dépassements de tension réduits, pour réduire la capacité de jonction et la charge de récupération inverse, pour éliminer les composants externes supplémentaires pour maintenir les systèmes en service plus longtemps.
Les transistors MOSFET semi-conducteurs fournissent une fiabilité de conception supérieure, des pointes de tension et des dépassements de tension réduits, pour réduire la capacité de jonction et la charge de récupération inverse, pour éliminer les composants externes supplémentaires pour maintenir les systèmes en service plus longtemps.
Caractéristiques techniques
Attribut | Valeur |
---|---|
Type de canal | N |
Courant continu de Drain maximum | 16 A |
Tension Drain Source maximum | 600 V |
Type de boîtier | TO-220F |
Série | SupreMOS |
Type de montage | Traversant |
Nombre de broches | 3 |
Résistance Drain Source maximum | 199 mΩ |
Mode de canal | Enrichissement |
Tension de seuil minimale de la grille | 2V |
Dissipation de puissance maximum | 35.7 W |
Configuration du transistor | Simple |
Tension Grille Source maximum | -30 V, +30 V |
Longueur | 10.16mm |
Température d'utilisation maximum | +150 °C |
Nombre d'éléments par circuit | 1 |
Charge de Grille type @ Vgs | 40,2 nC @ 10 V |
Matériau du transistor | Si |
Largeur | 4.7mm |
Température de fonctionnement minimum | -55 °C |
Hauteur | 15.9mm |
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