Attribut	Valeur
Type de canal	N
Courant continu de Drain maximum	17 A
Tension Drain Source maximum	800 V
Série	CoolMOS C3
Type de boîtier	A-220
Type de montage	Traversant
Nombre de broches	3
Résistance Drain Source maximum	290 mΩ
Mode de canal	Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille	3.9V
Tension de seuil minimale de la grille	2.1V
Dissipation de puissance maximum	227 W
Configuration du transistor	Simple
Tension Grille Source maximum	-20 V, +20 V
Matériau du transistor	Si
Largeur	4.57mm
Température d'utilisation maximum	+150 °C
Nombre d'éléments par circuit	1
Charge de Grille type @ Vgs	88 nC @ 10 V
Longueur	10.36mm
Hauteur	9.45mm
Température de fonctionnement minimum	-55 °C

Attribut	Valeur
Type de canal	N
Courant continu de Drain maximum	17 A
Tension Drain Source maximum	800 V
Série	CoolMOS C3
Type de boîtier	A-220
Type de montage	Traversant
Nombre de broches	3
Résistance Drain Source maximum	290 mΩ
Mode de canal	Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille	3.9V
Tension de seuil minimale de la grille	2.1V
Dissipation de puissance maximum	227 W
Configuration du transistor	Simple
Tension Grille Source maximum	-20 V, +20 V
Matériau du transistor	Si
Largeur	4.57mm
Température d'utilisation maximum	+150 °C
Nombre d'éléments par circuit	1
Charge de Grille type @ Vgs	88 nC @ 10 V
Longueur	10.36mm
Hauteur	9.45mm
Température de fonctionnement minimum	-55 °C

MOSFET Infineon canal N, A-220 17 A 800 V, 3 broches

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