MOSFET onsemi canal N, SOIC 3 A 250 V, 8 broches

Le transistor MOSFET à tranchée UItraFET® regroupe des caractéristiques offrant une efficacité dans les tests d'applications de conversion de puissance. Le circuit est capable de résister aux pics de tension en mode avalanche, et la diode présente un temps de recouvrement inverse et une charge emmagasinée faibles. Optimisé pour efficacité à hautes fréquences, RDS(on) les plus faibles, ESR faible, et faible charge de grille totale et Miller.
Les applications de convertisseurs c.c./c.c. à haute fréquence, de régulateurs à découpage, de commandes de moteur, de commutateurs de bus basse tension et de gestion d'alimentation.

Transistors MOSFET, ON Semi

On Semi offre une gamme substantielle de dispositifs MOSFET qui inclut>< les types haute tension ( 250 V) et basse tension ( 250 V). La technologie de pointe au silicium offre une taille de composant plus réduite. Elle est intégrée à plusieurs normes de l'industrie et dans des formats thermiquement améliorés.
Les transistors MOSFET semi-conducteurs fournissent une fiabilité de conception supérieure, des pointes de tension et des dépassements de tension réduits, pour réduire la capacité de jonction et la charge de récupération inverse, pour éliminer les composants externes supplémentaires pour maintenir les systèmes en service plus longtemps.