Transistor MOSFET STMicroelectronics canal N, TO-263 11 A 800 V, 3 broches

Ces transistors MOSFET de puissance à canal N sont développés à l'aide de la technologie MDmesh TM révolutionnaire de STMicroelectronics, qui associe le processus de drain multiple à la disposition horizontale PowerMESH TM de l'entreprise. Ces dispositifs offrent une très faible résistance à l'état passant, une haute dv/dt et d'excellentes caractéristiques d'avalanche. Utilisant la technique de bande propriétaire de ST, ces transistors MOSFET de puissance offrent une performance dynamique globale supérieure aux produits similaires sur le marché.

Faible capacité d'entrée et charge de grille
Faible résistance d'entrée de grille
Meilleur RDS(on)Qg dans l'industrie
Applications
Applications de commutation

Transistors MOSFET, ROHM, STMicroelectronics