1 canal N Simple STMicroelectronics 25 A 650 V Enrichissement, 3 broches, TO-220 Non
- Code commande RS:
- 192-4952
- Référence fabricant:
- STP26N65DM2
- Marque:
- STMicroelectronics
Actuellement indisponible
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- Code commande RS:
- 192-4952
- Référence fabricant:
- STP26N65DM2
- Marque:
- STMicroelectronics
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 25A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 650V | |
| Type de Boitier | TO-220 | |
| Type de montage | En surface, Traversant, Traversant | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 190Ω | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 160W | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 25V | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 35.5nC | |
| Tension directe Vf | 1.6V | |
| Configuration du transistor | Simple | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Hauteur | 15.75mm | |
| Normes/homologations | FCC Part 68, RoHS, TIA-1096-A | |
| Longueur | 10.4mm | |
| Largeur | 4.6mm | |
| Nombre d'éléments par circuit | 1 | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 25A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 650V | ||
Type de Boitier TO-220 | ||
Type de montage En surface, Traversant, Traversant | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 190Ω | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 160W | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 25V | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 35.5nC | ||
Tension directe Vf 1.6V | ||
Configuration du transistor Simple | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Hauteur 15.75mm | ||
Normes/homologations FCC Part 68, RoHS, TIA-1096-A | ||
Longueur 10.4mm | ||
Largeur 4.6mm | ||
Nombre d'éléments par circuit 1 | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- CN
Ce MOSFET de puissance à canal N haute tension fait partie de la série de diodes à récupération rapide MDmeshTM DM2. Il offre une très faible charge de récupération (Qrr) et un temps (trr) combinés à un faible RDS(on), ce qui le rend adapté aux convertisseurs à haut rendement les plus exigeants et idéal pour les topologies de pont et les convertisseurs à décalage de phase ZVS.
Diode de corps à récupération rapide
Charge de grille et capacité d'entrée extrêmement faibles
Faible résistance à l'état passant
Robusteté dv/dt extrêmement élevée
Protégé par Zener
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