MOSFET STMicroelectronics canal N, TO-220 20 A 650 V, 3 broches

Ce transistor MOSFET de puissance à canal N est basé sur la technologie MDmesh M9 à super-connexion la plus innovante, adaptée aux transistors MOSFET moyenne/haute tension avec un très faible RDS(on) par zone. La technologie M9 à base de silicium bénéficie d'un processus de fabrication multi-drain qui permet une structure de circuit améliorée. Ce transistor est doté de l'une des plus basses valeurs de résistance à la mise sous tension et de charge de grille parmi tous les transistors MOSFET de puissance, à super-jonction et à commutation rapide à base de silicium, ce qui le rend particulièrement adapté aux applications qui exigent une densité de puissance supérieure et un rendement exceptionnel.