MOSFET canal N STMicroelectronics 17 A 650 V Enrichissement, 3 broches, TO-220 MDmesh
- Code commande RS:
- 760-9679
- Référence fabricant:
- STP24NM60N
- Marque:
- STMicroelectronics
Prix dégressifs sur quantité
Consulter les options de prix de grosSous-total (1 unité)*
3,76 €
HT
4,51 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
Temporairement en rupture de stock
- Expédition à partir du 11 janvier 2027
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité |
|---|---|
| 1 - 9 | 3,76 € |
| 10 - 99 | 1,65 € |
| 100 - 499 | 1,56 € |
| 500 - 999 | 1,41 € |
| 1000 + | 1,33 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 760-9679
- Référence fabricant:
- STP24NM60N
- Marque:
- STMicroelectronics
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 17A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 650V | |
| Série | MDmesh | |
| Type de Boitier | TO-220 | |
| Type de montage | Traversant | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 190mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 125W | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 46nC | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension directe Vf | 1.6V | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 30V | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Largeur | 4.6mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Longueur | 10.4mm | |
| Hauteur | 15.75mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 17A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 650V | ||
Série MDmesh | ||
Type de Boitier TO-220 | ||
Type de montage Traversant | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 190mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 125W | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 46nC | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension directe Vf 1.6V | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 30V | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Largeur 4.6mm | ||
Normes/homologations No | ||
Longueur 10.4mm | ||
Hauteur 15.75mm | ||
Standard automobile Non | ||
Canal N MDmesh™, 600 V / 650 V, STMicroelectronics
Transistors MOSFET, ROHM, STMicroelectronics
Nos clients ont également consulté
- MOSFET N STMicroelectronics 17 A 650 V Enrichissement TO-220 MDmesh
- MOSFET N STMicroelectronics 17 A 650 V Enrichissement TO-263 MDmesh
- MOSFET N STMicroelectronics 17 A 800 V Enrichissement TO-220 MDmesh
- MOSFET N STMicroelectronics 22 A 650 V Enrichissement TO-220 MDmesh M2
- MOSFET N STMicroelectronics 13 A 650 V Enrichissement TO-220 MDmesh M2
- MOSFET N STMicroelectronics 7.5 A 650 V Enrichissement TO-220 MDmesh M2
- MOSFET N STMicroelectronics 33 A 650 V Enrichissement TO-220 MDmesh M5
- MOSFET N STMicroelectronics 8.5 A 650 V Enrichissement TO-220 MDmesh M5