MOSFET canal N STMicroelectronics 55 A 650 V Enrichissement, 3 broches, TO-220 STP AEC-Q101

Le produit de STMicroelectronics est un MOSFET de puissance à canal N basé sur la technologie la plus innovante de super jonction MDmesh DM9, adapté pour les transistors MOSFET à moyenne ou haute tension avec un très faible RDS par zone couplé avec une diode de récupération rapide. La technologie DM9 à base de silicium bénéficie d'un processus de fabrication à plusieurs drains qui permet d'améliorer la structure du dispositif. Le produit obtenu présente l'une des plus basses valeurs de résistance à la mise sous tension et de charge de grille réduite parmi tous les transistors MOSFET de puissance à super jonction à commutation rapide à base de silicium, ce qui le rend particulièrement adapté aux applications qui exigent une densité de puissance supérieure et un rendement exceptionnel.

Meilleur FOM RDS sur Qg au monde parmi les dispositifs à base de silicium