MOSFET de puissance N STMicroelectronics 100 A 80 V Enrichissement, 3 broches, TO-220 STP

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Code commande RS:
719-658
Référence fabricant:
STP100N8F6
Marque:
STMicroelectronics
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Marque

STMicroelectronics

Type de produit

MOSFET de puissance

Type de canal

Canal N

Courant continu de Drain maximum Id

100A

Tension Drain Source maximum Vds

80V

Type de Boitier

TO-220

Série

STP

Type de montage

Traversant

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

0.009Ω

Mode de canal

Enrichissement

Tension directe Vf

1.2V

Température minimum de fonctionnement

-55°C

Charge de porte typique Qg @ Vgs

100nC

Dissipation de puissance maximum Pd

176W

Température d'utilisation maximum

175°C

Longueur

15.75mm

Hauteur

4.6mm

Le MOSFET de puissance à canal N de STMicroelectronics a été développé à l'aide de la technologie STripFETTM F6 avec une nouvelle structure de grille en tranchée. Le MOSFET de puissance qui en résulte présente un RDS(on) très faible dans tous les boîtiers.

Très faible résistance sous tension

Charge de grille très faible

Haute résistance aux avalanches

Faible perte de puissance d'entraînement de grille

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