MOSFET de puissance canal N STMicroelectronics 100 A 80 V Enrichissement, 3 broches, TO-220 STP
- Code commande RS:
- 719-658
- Référence fabricant:
- STP100N8F6
- Marque:
- STMicroelectronics
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|---|---|
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| 10 - 99 | 1,04 € |
| 100 - 499 | 0,83 € |
| 500 - 999 | 0,66 € |
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*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 719-658
- Référence fabricant:
- STP100N8F6
- Marque:
- STMicroelectronics
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Type de produit | MOSFET de puissance | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 100A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 80V | |
| Type de Boitier | TO-220 | |
| Série | STP | |
| Type de montage | Traversant | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 0.009Ω | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 176W | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 100nC | |
| Tension directe Vf | 1.2V | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Longueur | 15.75mm | |
| Largeur | 10.4mm | |
| Hauteur | 4.6mm | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Type de produit MOSFET de puissance | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 100A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 80V | ||
Type de Boitier TO-220 | ||
Série STP | ||
Type de montage Traversant | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 0.009Ω | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 176W | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 100nC | ||
Tension directe Vf 1.2V | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Longueur 15.75mm | ||
Largeur 10.4mm | ||
Hauteur 4.6mm | ||
- Pays d'origine :
- CN
Le MOSFET de puissance à canal N de STMicroelectronics a été développé à l'aide de la technologie STripFETTM F6 avec une nouvelle structure de grille en tranchée. Le MOSFET de puissance qui en résulte présente un RDS(on) très faible dans tous les boîtiers.
Très faible résistance sous tension
Charge de grille très faible
Haute résistance aux avalanches
Faible perte de puissance d'entraînement de grille
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