MOSFET de puissance canal N STMicroelectronics 60 A 100 V Enrichissement, 2 broches, TO-252 STP

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Code commande RS:
719-650
Référence fabricant:
STD70N10F4
Marque:
STMicroelectronics
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Marque

STMicroelectronics

Type de canal

N

Type de produit

MOSFET de puissance

Courant continu de Drain maximum Id

60A

Tension Drain Source maximum Vds

100V

Type de Boitier

TO-252

Série

STP

Type de montage

En surface

Nombre de broches

2

Résistance Drain Source maximum Rds

0.0195Ω

Mode de canal

Enrichissement

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Tension maximale de source de la grille Vgs

20V

Tension directe Vf

1.5V

Dissipation de puissance maximum Pd

125W

Charge de porte typique Qg @ Vgs

85nC

Température d'utilisation maximum

175°C

Hauteur

2.4mm

Largeur

6.6mm

Longueur

6.2mm

La technologie STripFETTM DeepGATETM Power MOSFET de STMicroelectronics fait partie des dernières améliorations, spécialement conçues pour minimiser la résistance à l'état actif, avec une nouvelle structure de grille, offrant des performances de commutation supérieures.

Capacité dv/dt exceptionnelle

Résistance à la mise sous tension extrêmement faible RDS(on)

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