MOSFET de puissance P STMicroelectronics 6 A 700 V Enrichissement, 2 broches, TO-252 G-HEMT
- Code commande RS:
- 719-637
- Référence fabricant:
- SGT350R70GTK
- Marque:
- STMicroelectronics
Prix dégressifs sur quantité
Consulter les options de prix de grosSous-total (1 bobine de 2500 unités)*
1 875,00 €
HT
2 250,00 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
Temporairement en rupture de stock
- Expédition à partir du 05 octobre 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 2500 - 2500 | 0,75 € | 1 875,00 € |
| 5000 + | 0,713 € | 1 782,50 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 719-637
- Référence fabricant:
- SGT350R70GTK
- Marque:
- STMicroelectronics
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Type de produit | MOSFET de puissance | |
| Type de canal | Canal P | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 6A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 700V | |
| Type de Boitier | TO-252 | |
| Série | G-HEMT | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 2 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 350mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 47W | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 1.5nC | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | -1.4, 7V | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Longueur | 6.2mm | |
| Hauteur | 2.4mm | |
| Largeur | 6.7mm | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Type de produit MOSFET de puissance | ||
Type de canal Canal P | ||
Courant continu de Drain maximum Id 6A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 700V | ||
Type de Boitier TO-252 | ||
Série G-HEMT | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 2 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 350mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 47W | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 1.5nC | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs -1.4, 7V | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Longueur 6.2mm | ||
Hauteur 2.4mm | ||
Largeur 6.7mm | ||
- Pays d'origine :
- CN
Le transistor PowerGaN e-mode 700 V 6 A de STMicroelectronics est combiné à une technologie d'emballage bien établie. Le dispositif G-HEMT qui en résulte fournit des pertes de conduction extrêmement faibles, une capacité de courant élevée et un fonctionnement de commutation ultrarapide pour permettre une haute densité de puissance et des performances d'efficacité inégalées. Recommandé pour les applications QR grand public avec mise sous tension de courant zéro.
Mode d'amélioration normalement désactivé pour transistor
Vitesse de commutation très élevée
Capacité de gestion de puissance élevée
Capacités extrêmement faibles
Coussin source Kelvin pour un entraînement de porte optimal
Charge de récupération inverse zéro
Protection ESD
Nos clients ont également consulté
- MOSFET de puissance P STMicroelectronics 6 A 700 V Enrichissement TO-252 G-HEMT
- Transistor P STMicroelectronics 21.7 A 700 V Enrichissement PowerFLAT G-HEMT
- Transistor P STMicroelectronics 29 A 700 V Enrichissement PowerFLAT G-HEMT
- Transistor P STMicroelectronics 10 A 700 V Enrichissement PowerFLAT G-HEMT
- Transistor P STMicroelectronics 11.5 A 700 V Enrichissement PowerFLAT G-HEMT
- Transistor P STMicroelectronics 17 A 700 V Enrichissement PowerFLAT G-HEMT
- Transistor P STMicroelectronics 26 A 700 V Enrichissement TO-LL G-HEMT
- MOSFET STMicroelectronics 15 A 750 V Enrichissement Bobine G-HEMT