MOSFET de puissance P STMicroelectronics 6 A 700 V Enrichissement, 2 broches, TO-252 G-HEMT

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Code commande RS:
719-637
Référence fabricant:
SGT350R70GTK
Marque:
STMicroelectronics
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Marque

STMicroelectronics

Type de canal

Canal P

Type de produit

MOSFET de puissance

Courant continu de Drain maximum Id

6A

Tension Drain Source maximum Vds

700V

Série

G-HEMT

Type de Boitier

TO-252

Type de montage

Montage en surface

Nombre de broches

2

Résistance Drain Source maximum Rds

350mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Dissipation de puissance maximum Pd

47W

Charge de porte typique Qg @ Vgs

1.5nC

Température minimum de fonctionnement

-55°C

Température d'utilisation maximum

150°C

Longueur

6.2mm

Hauteur

2.4mm

Le transistor PowerGaN e-mode 700 V 6 A de STMicroelectronics est combiné à une technologie d'emballage bien établie. Le dispositif G-HEMT qui en résulte fournit des pertes de conduction extrêmement faibles, une capacité de courant élevée et un fonctionnement de commutation ultrarapide pour permettre une haute densité de puissance et des performances d'efficacité inégalées. Recommandé pour les applications QR grand public avec mise sous tension de courant zéro.

Mode d'amélioration normalement désactivé pour transistor

Vitesse de commutation très élevée

Capacité de gestion de puissance élevée

Capacités extrêmement faibles

Coussin source Kelvin pour un entraînement de porte optimal

Charge de récupération inverse zéro

Protection ESD

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