Transistor P STMicroelectronics 21.7 A 700 V Enrichissement, 8 broches, PowerFLAT G-HEMT
- Code commande RS:
- 719-633
- Référence fabricant:
- SGT105R70ILB
- Marque:
- STMicroelectronics
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|---|---|
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| 10 - 24 | 1,91 € |
| 25 - 99 | 1,87 € |
| 100 - 499 | 1,85 € |
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*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 719-633
- Référence fabricant:
- SGT105R70ILB
- Marque:
- STMicroelectronics
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Type de produit | Transistor | |
| Type de canal | Canal P | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 21.7A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 700V | |
| Type de Boitier | PowerFLAT | |
| Série | G-HEMT | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 105mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | -6, 7V | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 4.8nC | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 158W | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Largeur | 8.1mm | |
| Hauteur | 0.9mm | |
| Longueur | 8.1mm | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Type de produit Transistor | ||
Type de canal Canal P | ||
Courant continu de Drain maximum Id 21.7A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 700V | ||
Type de Boitier PowerFLAT | ||
Série G-HEMT | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 8 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 105mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs -6, 7V | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 4.8nC | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 158W | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Largeur 8.1mm | ||
Hauteur 0.9mm | ||
Longueur 8.1mm | ||
- Pays d'origine :
- CN
Le transistor PowerGaN e-mode 700 V 21,7 A de STMicroelectronics est combiné à une technologie d'emballage bien établie. Le dispositif G-HEMT qui en résulte fournit des pertes de conduction extrêmement faibles, une capacité de courant élevée et un fonctionnement de commutation ultra-rapide pour permettre une haute densité de puissance et des performances de rendement imbattables.
Mode d'amélioration normalement désactivé pour transistor
Vitesse de commutation très élevée
Capacité de gestion de puissance élevée
Capacités extrêmement faibles
Coussin source Kelvin pour un entraînement de porte optimal
Charge de récupération inverse zéro
Protection ESD
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